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Insignis Technology Corporation

NDS63PT9-16IT

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NDS63PT9-16IT – Hochleistungsfähiger 64-Mbit-SDRAM für unternehmenskritische Anwendungen

Der NDS63PT9-16IT von Insignis Technology Corporation bietet außergewöhnliche Zuverlässigkeit und Leistung für anspruchsvolle Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, der Industrie und der Telekommunikation. Dieser synchrone 64-Mbit-DRAM verfügt über eine 2M x 32-Speicherorganisation mit LVTTL-Schnittstelle und arbeitet mit Geschwindigkeiten von bis zu 166 MHz bei einer Zugriffszeit von 5,4 ns.

Hauptmerkmale und Vorteile

  • Hohe Geschwindigkeit: Eine Taktfrequenz von 166 MHz bei einer Zugriffszeit von 5,4 ns gewährleistet eine schnelle Datenverarbeitung für zeitkritische Systeme.
  • Der breite Betriebstemperaturbereich von -40 °C bis 85 °C (TA) macht es ideal für raue Industrie- und Automobilumgebungen.
  • Zuverlässige Speicherarchitektur: Die 2M x 32-Organisation ermöglicht eine flexible Speicherkonfiguration für eingebettete Systeme.
  • Industriestandard-Schnittstelle: Die LVTTL-Schnittstelle gewährleistet die nahtlose Integration in bestehende Designs.
  • Oberflächenmontagegehäuse: 86-TSOP II-Gehäuse, optimiert für die automatisierte Montage und Anwendungen mit begrenztem Platzangebot.
  • RoHS-konform: Umweltfreundliches Design erfüllt globale Regulierungsstandards.

Ideale Anwendungsbereiche

Dieser hochzuverlässige SDRAM-Speicher wurde für unternehmenskritische Systeme entwickelt, darunter Avionik für die Luft- und Raumfahrt, Steuergeräte für Kraftfahrzeuge, Steuerungen für die industrielle Automatisierung, medizinische Diagnosegeräte und Telekommunikationsinfrastruktur. Der erweiterte Temperaturbereich und die robuste Bauweise gewährleisten eine gleichbleibende Leistung auch unter anspruchsvollen Betriebsbedingungen.

Vollständige technische Spezifikationen

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Verwandte Produkte und Ressourcen

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Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller Insignis Technology Corporation
Produktserie NDS63P
Verpackung Tablett |
Speichertyp Flüchtig
Speicherformat DRAM
Technologie SDRAM
Speichergröße 64 Mbit
Speicherorganisation 2 m x 32
Speicherschnittstelle LVTTL
Taktfrequenz 166 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite -
Zugriffszeit 5,4 ns
Spannungsversorgung 3 V ~ 3,6 V
Betriebstemperatur -40 °C ~ 85 °C (TA)
Grad -
Qualifikation -
Montageart Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse 86-TFSOP (0,400", 10,16 mm Breite)
Gerätepaket des Lieferanten 86-TSOP II
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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