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Insignis Technology Corporation

NDS66PBA-16AT TR

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Recycling Electronic Components

Produktübersicht

Der NDS66PBA-16AT TR ist ein leistungsstarker 64-Mbit-SDRAM-Speicherchip der Insignis Technology Corporation. Dieser flüchtige DRAM wurde für unternehmenskritische Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, der Industrie, der Medizintechnik und der Telekommunikation entwickelt und bietet außergewöhnliche Zuverlässigkeit über extreme Temperaturbereiche hinweg.

Hauptmerkmale

  • Speicherkapazität: 64 Mbit (4M x 16 Organisation)
  • Hohe Leistungsfähigkeit: 166 MHz Taktfrequenz mit 5,4 ns Zugriffszeit
  • Erweiterter Temperaturbereich: -40 °C bis 105 °C (TA) für raue Umgebungen
  • Industriestandard-Schnittstelle: LVTTL-Speicherschnittstelle
  • Kompaktes Gehäuse: 54-TFBGA-Oberflächenmontage (8x8 mm)
  • Breiter Spannungsbereich: 3 V bis 3,6 V Versorgungsspannung
  • RoHS-konform: Umweltfreundliche Fertigung

Anwendungen

Dieser SDRAM-Chip eignet sich ideal für eingebettete Systeme, die einen zuverlässigen Hochgeschwindigkeitsspeicher unter anspruchsvollen Bedingungen benötigen, darunter Kfz-Steuergeräte, industrielle Automatisierungsanlagen, medizinische Geräte, Telekommunikationsinfrastrukturen und Luft- und Raumfahrtsysteme.

Technische Spezifikationen

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Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller Insignis Technology Corporation
Produktserie NDS66P
Verpackung Tonband & Spule (TR) |
Speichertyp Flüchtig
Speicherformat DRAM
Technologie SDRAM
Speichergröße 64 Mbit
Speicherorganisation 4 m x 16
Speicherschnittstelle LVTTL
Taktfrequenz 166 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite -
Zugriffszeit 5,4 ns
Spannungsversorgung 3 V ~ 3,6 V
Betriebstemperatur -40 °C ~ 105 °C (TA)
Grad -
Qualifikation -
Montageart Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse 54-TFBGA
Gerätepaket des Lieferanten 54-FBGA (8x8)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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