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Insignis Technology Corporation

NDS66PBA-20AT

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NDS66PBA-20AT Hochleistungs-SDRAM-Speicher-IC

Der NDS66PBA-20AT von Insignis Technology Corporation ist eine hochzuverlässige 64-Mbit-SDRAM-Speicherlösung, die für anspruchsvolle Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, der Industrie, der Medizintechnik und der Telekommunikation entwickelt wurde. Dieses flüchtige DRAM-Baustein verfügt über eine 4M x 16-Speicherorganisation mit LVTTL-Schnittstelle und bietet mit einer Taktfrequenz von 200 MHz und einer Zugriffszeit von 4,5 ns herausragende Leistung.

Hauptmerkmale und Vorteile

  • Hohe Geschwindigkeit: Eine Taktfrequenz von 200 MHz bei einer Zugriffszeit von 4,5 ns gewährleistet eine schnelle Datenverarbeitung für zeitkritische Anwendungen.
  • Der breite Betriebstemperaturbereich von -40 °C bis 105 °C (TA) macht es ideal für raue Industrie- und Automobilumgebungen.
  • Zuverlässige Stromversorgung: Der Spannungsbereich von 3 V bis 3,6 V gewährleistet einen stabilen Betrieb in verschiedenen Systemkonfigurationen.
  • Kompaktes SMD-Gehäuse: 54-TFBGA (8x8)-Gehäuse optimiert die Platinenplatznutzung.
  • LVTTL-Schnittstelle: Die Low-Voltage-TTL-Kompatibilität gewährleistet die nahtlose Integration in moderne digitale Systeme.
  • RoHS-konform: Umweltfreundliches Design erfüllt internationale Standards

Technische Spezifikationen

Anwendungen und Anwendungsfälle

Der NDS66PBA-20AT wurde speziell für unternehmenskritische Anwendungen entwickelt, die hohe Zuverlässigkeit und konstante Leistung über extreme Temperaturbereiche hinweg erfordern. Typische Anwendungsbereiche sind:

  • Avionik und Flugsteuerungssysteme für die Luft- und Raumfahrt
  • Motorsteuergeräte und Sicherheitssysteme für Kraftfahrzeuge
  • Industrielle Automatisierung und Prozesssteuerung
  • Medizinische Diagnose- und Überwachungsgeräte
  • Telekommunikationsinfrastruktur und Netzwerkgeräte

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Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller Insignis Technology Corporation
Produktserie NDS66P
Verpackung Tablett |
Speichertyp Flüchtig
Speicherformat DRAM
Technologie SDRAM
Speichergröße 64 Mbit
Speicherorganisation 4 m x 16
Speicherschnittstelle LVTTL
Taktfrequenz 200 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite -
Zugriffszeit 4,5 ns
Spannungsversorgung 3 V ~ 3,6 V
Betriebstemperatur -40 °C ~ 105 °C (TA)
Grad -
Qualifikation -
Montageart Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse 54-TFBGA
Gerätepaket des Lieferanten 54-FBGA (8x8)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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