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Insignis Technology Corporation
NDS73PT9-20AT TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €3,95 EUR | €3,95 EUR |
| 15+ | €3,63 EUR | €54,45 EUR |
| 25+ | €3,56 EUR | €89,00 EUR |
| 50+ | €3,36 EUR | €168,00 EUR |
| 100+ | €2,96 EUR | €296,00 EUR |
| N+ | €0,59 EUR | Price Inquiry |
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NDS73PT9-20AT TR - Hochleistungsfähiger 128-Mbit-SDRAM-Speicher-IC
Der NDS73PT9-20AT TR von Insignis Technology Corporation ist ein hochzuverlässiger 128-Mbit-Synchron-DRAM, der für anspruchsvolle Industrie-, Automobil- und Embedded-Anwendungen entwickelt wurde. Dieser Speicherchip verfügt über eine 4M x 32-Struktur mit LVTTL-Schnittstelle und arbeitet mit einer Taktfrequenz von 200 MHz. Er bietet robuste Leistung über einen erweiterten Temperaturbereich von -40 °C bis 105 °C.
Hauptmerkmale:
- 128 Mbit SDRAM-Kapazität mit 4M x 32 Speicherorganisation
- 200 MHz Taktfrequenz für schnellen Datenzugriff
- LVTTL-Schnittstelle für breite Kompatibilität
- Erweiterter Betriebstemperaturbereich: -40 °C bis 105 °C (TA)
- Versorgungsspannungsbereich: 3 V bis 3,6 V
- 86-TSOP II Oberflächenmontagegehäuse
- RoHS-konform für Umweltstandards
- Gurt- und Rollenverpackung für die automatisierte Montage
Anwendungsbereiche: Industrielle Steuerungssysteme, Automobilelektronik, Telekommunikationsgeräte, medizinische Geräte, Luft- und Raumfahrtsysteme und andere eingebettete Anwendungen mit hohen Zuverlässigkeitsanforderungen, die eine lange Lebensdauerunterstützung erfordern.
Qualität & Konformität: Diese Komponente erfüllt die RoHS/REACH-Richtlinien und ist durch vollständige Rückverfolgbarkeitsdokumentation abgesichert. Als autorisierter Distributor bieten wir Originalprodukte von Insignis Technology gemäß Herstellerspezifikationen und mit langfristigen Verfügbarkeitsgarantien.
Vollständige technische Spezifikationen
| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | Insignis Technology Corporation |
| Produktserie | NDS73P |
| Verpackung | Tonband & Spule (TR) | |
| Speichertyp | Flüchtig |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM |
| Speichergröße | 128 Mbit |
| Speicherorganisation | 4 m x 32 |
| Speicherschnittstelle | LVTTL |
| Taktfrequenz | 200 MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | - |
| Spannungsversorgung | 3 V ~ 3,6 V |
| Betriebstemperatur | -40 °C ~ 105 °C (TA) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 86-TFSOP (0,400", 10,16 mm Breite) |
| Gerätepaket des Lieferanten | 86-TSOP II |
| RoHS |  |
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