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Insignis Technology Corporation

NDS76PT5-20ET TR

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NDS76PT5-20ET TR - Hochleistungsfähiger 128-Mbit-SDRAM-Speicher-IC

Der NDS76PT5-20ET TR von Insignis Technology Corporation ist ein Premium-128-Mbit-Synchron-DRAM (SDRAM), der für eingebettete Systeme, industrielle Automatisierung, Automobilelektronik und IoT-Anwendungen entwickelt wurde, die zuverlässige, schnelle flüchtige Speicherlösungen erfordern.

Hauptmerkmale und Vorteile

  • Hohe Leistungsfähigkeit: Die Taktfrequenz von 200 MHz gewährleistet einen schnellen Datenzugriff für zeitkritische Anwendungen.
  • Optimale Speicherkonfiguration: Die 8M x 16-Organisation ermöglicht eine flexible Speicheradressierung für diverse Systemarchitekturen.
  • Industrielle Zuverlässigkeit: Der Betriebstemperaturbereich von 0 °C bis 70 °C (TA) gewährleistet eine stabile Leistung auch unter anspruchsvollen Bedingungen.
  • LVTTL-Schnittstelle: Die TTL-Kompatibilität mit niedriger Spannung reduziert den Stromverbrauch bei gleichzeitiger Aufrechterhaltung der Signalintegrität.
  • Oberflächenmontage-Design: 54-TSOP II-Gehäuse (0,400", 10,16 mm Breite) optimiert die Leiterplattenplatznutzung.
  • RoHS-konform: Umweltfreundliche Fertigung erfüllt globale Regulierungsstandards.
  • Authentische Komponenten: Werkseitig versiegelte Gurt- und Rollenverpackung mit vollständiger Rückverfolgbarkeit und Lebenszyklusgarantie

Technische Spezifikationen

Anwendungen und Anwendungsfälle

Dieser SDRAM-IC eignet sich ideal für:

  • Industrielle Steuerungssysteme und speicherprogrammierbare Steuerungen (SPS)
  • Infotainment- und Armaturenbrettsysteme für Fahrzeuge
  • Medizinische Diagnosegeräte und Bildgebungsgeräte
  • Telekommunikationsinfrastruktur und Netzwerkgeräte
  • IoT-Edge-Computing-Geräte und intelligente Sensoren
  • Eingebettete Computerplattformen, die einen schnellen, zuverlässigen flüchtigen Speicher benötigen.

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Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller Insignis Technology Corporation
Produktserie
Verpackung Tonband & Spule (TR) |
Speichertyp Flüchtig
Speicherformat DRAM
Technologie SDRAM
Speichergröße 128 Mbit
Speicherorganisation 8 m x 16
Speicherschnittstelle LVTTL
Taktfrequenz 200 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite -
Zugriffszeit -
Spannungsversorgung 3 V ~ 3,6 V
Betriebstemperatur 0 °C ~ 70 °C (TA)
Grad -
Qualifikation -
Montageart Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse 54-TSOP (0,400", 10,16 mm Breite)
Gerätepaket des Lieferanten 54-TSOP II
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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