Insignis Technology Corporation
NLX46PFS-6NIT TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €6,95 EUR | €6,95 EUR |
| 15+ | €6,39 EUR | €95,85 EUR |
| 25+ | €6,26 EUR | €156,50 EUR |
| 50+ | €5,91 EUR | €295,50 EUR |
| 100+ | €5,21 EUR | €521,00 EUR |
| N+ | €1,04 EUR | Price Inquiry |
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Insignis NLX46PFS-6NIT TR – Hochleistungs-LPDDR4X-Mobilspeicher
Der Insignis NLX46PFS-6NIT TR ist eine Premium-4-Gbit-LPDDR4X-Mobil-SDRAM-Lösung, die für anspruchsvolle Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, der Industrie und der Telekommunikation entwickelt wurde, die eine hohe Speicherleistung bei geringem Stromverbrauch erfordern.
Hauptmerkmale und Vorteile
- Hohe Leistungsfähigkeit: 1,6 GHz Taktfrequenz mit 3,5 ns Zugriffszeit für schnelle Datenverarbeitung
- Geringer Stromverbrauch: LPDDR4X-Technologie optimiert für mobile und eingebettete Anwendungen
- Industrieller Temperaturbereich: -40 °C bis 85 °C (TC) Betrieb für raue Umgebungen
- Kompakte Bauform: 200-FBGA (10x14,5 mm) SMD-Gehäuse
- Zuverlässige Versorgung: Autorisierter Händlerbestand mit vollständiger Herstellerdokumentation und Rückverfolgbarkeit
- RoHS-konform: Umweltverträgliche Fertigung
Technische Spezifikationen
Anwendungen
Ideal für hochzuverlässige Systeme in der Luft- und Raumfahrt-Avionik, in ADAS- und Infotainmentsystemen für die Automobilindustrie, in industriellen Automatisierungssteuerungen, in der Telekommunikationsinfrastruktur und in eingebetteten Computerplattformen, die eine lange Lebensdauerunterstützung erfordern.
Qualitäts- und Echtheitsgarantie
Alle Einheiten stammen direkt aus autorisierten Vertriebskanälen und verfügen über vollständige Herstellerdokumentation, Chargenrückverfolgbarkeit und Qualitätszertifizierungen. Die langfristige Produktlebenszyklusgarantie gewährleistet die Verfügbarkeit für kritische Anwendungen.
| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | Insignis Technology Corporation |
| Produktserie | |
| Verpackung | Tonband und Spule (TR) | Tonband und Spule (TR) |
| Speichertyp | Flüchtig |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4X |
| Speichergröße | 4 Gbit/s |
| Speicherorganisation | 256 m x 16 |
| Speicherschnittstelle | LVSTL |
| Taktfrequenz | 1,6 GHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 18ns |
| Zugriffszeit | 3,5 ns |
| Spannungsversorgung | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V |
| Betriebstemperatur | -40 °C ~ 85 °C (TC) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 200-WFBGA |
| Gerätepaket des Lieferanten | 200-FBGA (10x14,5) |
| RoHS |
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