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Insignis Technology Corporation

NLX83PFS-3NET - 8 GB LPDDR4X Mobile DRAM | Insignis-Technologie

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Recycling Electronic Components

Hochleistungsfähiger 8-Gb-LPDDR4X-Mobil-DRAM für unternehmenskritische Anwendungen

Der NLX83PFS-3NET von Insignis Technology Corporation bietet herausragende Leistung und Zuverlässigkeit für anspruchsvolle mobile und eingebettete Anwendungen. Dieser 8-Gigabit-LPDDR4X-SDRAM verfügt über eine 256M x 32-Speicherorganisation und arbeitet mit Geschwindigkeiten von bis zu 1,866 GHz bei extrem niedriger Latenz von 3,5 ns Zugriffszeit.

Hauptmerkmale und Vorteile

  • Hohe Leistungsfähigkeit: Die Taktfrequenz von 1,866 GHz bei einer Schreibzykluszeit von 18 ns gewährleistet einen schnellen Datendurchsatz für bandbreitenintensive Anwendungen.
  • Geringer Stromverbrauch: Betrieb mit zwei Spannungen (1,06 V–1,17 V / 1,7 V–1,95 V), optimiert für mobile und batteriebetriebene Systeme
  • Erweiterter Temperaturbereich: Betrieb bei -25 °C bis 85 °C (TC) für industrielle, automobile und Luft- und Raumfahrtumgebungen
  • Kompakte Bauform: Das 200-WFBGA-Gehäuse (10 x 14,5 mm) für optimale Platinenplatznutzung
  • LVSTL-Schnittstelle: Industriestandard-Niederspannungssignalisierung für nahtlose Integration
  • RoHS-konform: Umweltverträgliche Fertigung erfüllt globale Standards

Ideale Anwendungsbereiche

Konzipiert für die Luftfahrt-Avionik, Infotainmentsysteme in der Automobilindustrie, industrielle Steuerungen, Telekommunikationsinfrastruktur und hochzuverlässige eingebettete Computerplattformen, die authentische, rückverfolgbare Komponenten mit langer Lebensdauerunterstützung erfordern.

Vollständige technische Spezifikationen

Echtheit garantiert: Alle Komponenten stammen von autorisierten Händlern und verfügen über vollständige Herstellerdokumentation und Rückverfolgbarkeit. Langfristige Produktlebenszyklusgarantie gewährleistet die Verfügbarkeit für sichere Designentscheidungen.

Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller Insignis Technology Corporation
Produktserie
Verpackung | Tablett
Speichertyp Flüchtig
Speicherformat DRAM
Technologie SDRAM - Mobile LPDDR4X
Speichergröße 8 Gbit/s
Speicherorganisation 256 m x 32
Speicherschnittstelle LVSTL
Taktfrequenz 1,866 GHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 18ns
Zugriffszeit 3,5 ns
Spannungsversorgung 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V
Betriebstemperatur -25 °C ~ 85 °C (TC)
Grad -
Qualifikation -
Montageart Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse 200-WFBGA
Gerätepaket des Lieferanten 200-FBGA (10x14,5)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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