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Insignis Technology Corporation

NLX83PFS-3NIT

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Recycling Electronic Components

NLX83PFS-3NIT – Hochleistungsfähiger LPDDR4X-Mobilspeicher

Der NLX83PFS-3NIT von Insignis Technology Corporation bietet zuverlässige 8-Gbit-LPDDR4X-SDRAM-Leistung für anspruchsvolle Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, der Industrie und der Telekommunikation. Diese Originalkomponente verfügt über eine 256M x 32-Speicherorganisation mit einer Taktfrequenz von 1,866 GHz und ist für energieeffiziente mobile und eingebettete Systeme optimiert.

Hauptmerkmale und Vorteile

  • Hohe Leistungsfähigkeit: 1,866 GHz Taktfrequenz mit 3,5 ns Zugriffszeit für reaktionsschnellen Systembetrieb
  • Energiesparendes Design: Duale Spannungsversorgung (1,06 V–1,17 V, 1,7 V–1,95 V), optimiert für mobile Anwendungen
  • Erweiterter Temperaturbereich: Betrieb bei -40 °C bis 85 °C (TC) für raue Umgebungen
  • Kompakte Bauform: 200-WFBGA (10x14,5 mm) SMD-Gehäuse
  • Authentische Beschaffung: Lagerbestand des autorisierten Händlers mit vollständiger Herstellerdokumentation und Rückverfolgbarkeit
  • Langfristiger Support: Unterstützt durch das Engagement von Insignis Technology für eine verlängerte Produktverfügbarkeit.

Anwendungen

Ideal für Luft- und Raumfahrtsysteme, Infotainment- und ADAS-Systeme in der Automobilindustrie, industrielle Steuerungssysteme, Telekommunikationsinfrastruktur und eingebettete Computerplattformen, die einen zuverlässigen, leistungsstarken mobilen Speicher benötigen.

Vollständige technische Spezifikationen

Qualitäts- und Echtheitsgarantie

Jedes NLX83PFS-3NIT-Gerät stammt von autorisierten Händlern und verfügt über vollständige Herstellerdokumentation, was Authentizität und lückenlose Rückverfolgbarkeit gewährleistet. Es entspricht den RoHS-Richtlinien und erfüllt somit die Umweltauflagen auf globalen Märkten.

Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller Insignis Technology Corporation
Produktserie
Verpackung Tablett | Tablett
Speichertyp Flüchtig
Speicherformat DRAM
Technologie SDRAM - Mobile LPDDR4X
Speichergröße 8 Gbit/s
Speicherorganisation 256 m x 32
Speicherschnittstelle LVSTL
Taktfrequenz 1,866 GHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 18ns
Zugriffszeit 3,5 ns
Spannungsversorgung 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V
Betriebstemperatur -40 °C ~ 85 °C (TC)
Grad -
Qualifikation -
Montageart Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse 200-WFBGA
Gerätepaket des Lieferanten 200-FBGA (10x14,5)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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