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Insignis Technology Corporation
NLX83PFS-3NIT TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €9,95 EUR | €9,95 EUR |
| 15+ | €9,15 EUR | €137,25 EUR |
| 25+ | €8,96 EUR | €224,00 EUR |
| 50+ | €8,46 EUR | €423,00 EUR |
| 100+ | €7,46 EUR | €746,00 EUR |
| N+ | €1,49 EUR | Price Inquiry |
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Insignis NLX83PFS-3NIT TR – LPDDR4X Mobile DRAM mit hoher Dichte
Der NLX83PFS-3NIT TR von Insignis Technology Corporation bietet leistungsstarken mobilen Speicher für anspruchsvolle Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, der Industrie und der Telekommunikation. Dieser 8-Gbit-LPDDR4X-SDRAM verfügt über eine 256M x 32-Struktur mit einer Taktfrequenz von 1,866 GHz und ist für energieempfindliche mobile und eingebettete Systeme optimiert, die zuverlässigen Speicher mit hoher Bandbreite benötigen.
Hauptmerkmale
- Hohe Leistungsfähigkeit: 1,866 GHz Taktfrequenz mit 3,5 ns Zugriffszeit
- Betrieb mit geringem Stromverbrauch: Duale Spannungsversorgung (1,06 V–1,17 V, 1,7 V–1,95 V) für mobile Effizienz
- Industrieller Temperaturbereich: -40 °C bis 85 °C (TC) für raue Umgebungen
- Kompaktes Gehäuse: 200-FBGA (10 x 14,5 mm) SMD für platzsparende Designs
- Authentische Beschaffung: Lagerbestand autorisierter Händler mit vollständiger Rückverfolgbarkeit durch den Hersteller
Anwendungen
Ideal für mobile Computer, Infotainmentsysteme in der Automobilindustrie, industrielle Steuerungen, Telekommunikationsgeräte und eingebettete Systeme, die einen hochdichten, energiesparenden Speicher mit verlängerter Lebensdauer benötigen.
Vollständige technische Spezifikationen
Qualitätssicherung
Alle Geräte werden mit vollständiger Herstellerdokumentation, Echtheitszertifikat und lückenloser Rückverfolgbarkeit ausgeliefert. Die langfristige Produktlebenszyklusgarantie gewährleistet die Verfügbarkeit für Anwendungen, die eine umfassende Produktunterstützung erfordern.
| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | Insignis Technology Corporation |
| Produktserie | |
| Verpackung | Tonband und Spule (TR) | Tonband und Spule (TR) |
| Speichertyp | Flüchtig |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4X |
| Speichergröße | 8 Gbit/s |
| Speicherorganisation | 256 m x 32 |
| Speicherschnittstelle | LVSTL |
| Taktfrequenz | 1,866 GHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 18ns |
| Zugriffszeit | 3,5 ns |
| Spannungsversorgung | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V |
| Betriebstemperatur | -40 °C ~ 85 °C (TC) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 200-WFBGA |
| Gerätepaket des Lieferanten | 200-FBGA (10x14,5) |
| RoHS |  |
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