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Insignis Technology Corporation
NLX83PFS-6NIT TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €9,95 EUR | €9,95 EUR |
| 15+ | €9,15 EUR | €137,25 EUR |
| 25+ | €8,96 EUR | €224,00 EUR |
| 50+ | €8,46 EUR | €423,00 EUR |
| 100+ | €7,46 EUR | €746,00 EUR |
| N+ | €1,49 EUR | Price Inquiry |
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Insignis NLX83PFS-6NIT TR – Hochleistungs-LPDDR4X-Mobil-DRAM
Der NLX83PFS-6NIT TR von Insignis Technology Corporation bietet zuverlässige 8-Gbit-LPDDR4X-Mobil-DRAM-Leistung für anspruchsvolle Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, der Industrie und der Telekommunikation. Er wurde für einen langen Produktlebenszyklus entwickelt und garantiert authentische Herkunft mit vollständiger Herstellerdokumentation und Rückverfolgbarkeit.
Hauptmerkmale
- Hohe Leistungsfähigkeit: 1,6 GHz Taktfrequenz mit 3,5 ns Zugriffszeit
- Optimierte Speicherarchitektur: 8 Gbit Kapazität in 256M x 32 Organisation
- Breiter Betriebstemperaturbereich: -40 °C bis 85 °C (TC) für industrielle und automobile Umgebungen
- Energiesparendes Design: Duale Spannungsversorgung (1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V) für mobile Anwendungen
- Industriestandard-Gehäuse: 200-WFBGA / 200-FBGA (10x14,5 mm) SMD
- RoHS-konform: Umweltverträgliche Fertigung
Anwendungen
Ideal für hochdichte FPGA-Lösungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilelektronik, industriellen Steuerungssystemen und der Telekommunikationsinfrastruktur, die eine langfristige Verfügbarkeit und die Beschaffung authentischer Komponenten erfordern.
Vollständige technische Spezifikationen
Qualitätssicherung
Alle Komponenten stammen von autorisierten Distributoren und verfügen über vollständige Herstellerdokumentation, Rückverfolgbarkeit und langfristige Produktlebenszyklusgarantie. Unterstützt wird dies durch unser Engagement für authentische FPGA-Lösungen und umfassenden technischen Support.
| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | Insignis Technology Corporation |
| Produktserie | |
| Verpackung | Tonband und Spule (TR) | Tonband und Spule (TR) |
| Speichertyp | Flüchtig |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4X |
| Speichergröße | 8 Gbit/s |
| Speicherorganisation | 256 m x 32 |
| Speicherschnittstelle | LVSTL |
| Taktfrequenz | 1,6 GHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 18ns |
| Zugriffszeit | 3,5 ns |
| Spannungsversorgung | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V |
| Betriebstemperatur | -40 °C ~ 85 °C (TC) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 200-WFBGA |
| Gerätepaket des Lieferanten | 200-FBGA (10x14,5) |
| RoHS |  |
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