NV9582F111-RA

NV9582F111-RA - GaNSense™ integrierter Flyback-Controller-IC

Der NV9582F111-RA von Navitas Semiconductor ist ein leistungsstarker GaNSense™-Flyback-Controller für isolierte Leistungswandlungsanwendungen. Dieser fortschrittliche Leistungs-IC verfügt über eine Durchbruchspannung von 700 V und integrierte Schaltfunktionen und eignet sich daher ideal für AC/DC-Netzteile in Industrie, Telekommunikation und Unterhaltungselektronik.

Hauptmerkmale

• 700 V Durchbruchspannung – Hochspannungsfestigkeit für robuste Leistungswandlung
• Integrierte GaN-Schalter – Höhere Effizienz und reduzierte Bauteilanzahl
• Isolierte Flyback-Topologie mit sekundärseitiger synchroner Gleichrichtung (SR)
• Breiter Versorgungsspannungsbereich: 6,5 V bis 77 V mit einer Anlaufspannung von 13,5 V
• Zwei Schaltfrequenzen: 100 kHz und 129 kHz für flexible Gestaltungsmöglichkeiten
• Umfassender Schutz: Schutz vor Überlastung, Überhitzung, Überspannung und Kurzschluss
• Erweiterter Temperaturbereich: -40 °C bis 125 °C für anspruchsvolle Umgebungen
• Kompaktes SMD-Gehäuse: 23-QFN (5x6 mm) für platzsparende Designs

Anwendungen

Dieser GaNSense™-Controller eignet sich perfekt für:

• AC/DC-Netzteile und Ladegeräte
• Industrielle Stromversorgungen
• Telekommunikationsausrüstung
• LED-Beleuchtungstreiber
• Energiemanagement in Unterhaltungselektronik

Technische Spezifikationen

Warum sollten Sie sich für die Navitas GaNSense™-Technologie entscheiden?

Die GaNSense™-Plattform von Navitas Semiconductor integriert Galliumnitrid (GaN)-Leistungsschalter mit intelligenter Steuerungs- und Schutzschaltung und bietet im Vergleich zu herkömmlichen Siliziumlösungen überlegene Effizienz, Leistungsdichte und Zuverlässigkeit. Der NV9582F111-RA repräsentiert die neueste Generation der Leistungswandlungstechnologie für Designs der nächsten Generation.

Autorisierter Vertriebspartner – Original Navitas-Komponenten mit vollständiger Rückverfolgbarkeit und Herstellergarantie.

Designvorteile und Leistungsvorteile

Ingenieure wählen den NV9582F111-RA aufgrund seiner herausragenden Kombination aus Hochspannungsfestigkeit, integrierter GaN-Technologie und umfassenden Schutzfunktionen. Die zwei Schaltfrequenzoptionen (100 kHz und 129 kHz) bieten Flexibilität im Design und ermöglichen die Optimierung von Effizienz, EMV-Leistung oder Bauteilgröße. Mit einem breiten Versorgungsspannungsbereich von 6,5 V bis 77 V und einem robusten Betriebstemperaturbereich von -40 °C bis 125 °C eignet sich dieser Controller hervorragend für anspruchsvolle Industrieumgebungen, in denen Zuverlässigkeit höchste Priorität hat.

Die integrierten GaN-Schalter machen externe MOSFETs überflüssig und reduzieren so die Materialkosten, den Platzbedarf auf der Leiterplatte und die Designkomplexität bei gleichzeitig verbesserter Systemeffizienz. Fortschrittliche Fehlerschutzmechanismen, darunter Überlast-, Übertemperatur-, Überspannungs- und Kurzschlussschutz, gewährleisten langfristige Zuverlässigkeit und die Einhaltung von Sicherheitsstandards in Anwendungen der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, der Medizintechnik und der Telekommunikation.

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