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Navitas Semiconductor, Inc.

NV9582F1P3-RA

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NV9582F1P3-RA - GaNSense™ integrierter Flyback-Controller

Der NV9582F1P3-RA von Navitas Semiconductor repräsentiert modernste GaN-Leistungswandlungstechnologie (Galliumnitrid). Dieser fortschrittliche integrierte Schaltkreis kombiniert Hochvolt-GaN-Leistungs-FETs mit intelligenten Steuerungs- und Schutzfunktionen und bietet so höchste Effizienz und Zuverlässigkeit für AC/DC-Netzteile.

Hauptmerkmale und Vorteile

  • 700-V-Hochspannungsfestigkeit: Robuste Durchschlagsfestigkeit für universelle Wechselstrom-Eingangsanwendungen
  • Integrierter GaN-Leistungsschalter: Eliminiert externe Bauteile, reduziert die Leiterplattenfläche und die Stücklistenkosten.
  • Sekundärseitige Synchrongleichrichtung: Optimierte Sperrwandlertopologie für maximale Effizienz
  • Breiter Eingangsspannungsbereich: 6,5 V bis 77 V Versorgungsspannung mit 13,5 V Anlaufspannung
  • Umfassender Schutz: Integrierter Schutz vor Überlastung, Überhitzung, Überspannung und Kurzschluss.
  • Flexible Schaltfrequenz: Dualbetrieb bei 100 kHz und 129 kHz
  • Erweiterter Temperaturbereich: Betrieb bei Umgebungstemperaturen von -40 °C bis 125 °C für anspruchsvolle Umgebungen
  • Kompaktes SMD-Gehäuse: 23-QFN (5x6 mm) für platzsparende Designs

Typische Anwendungen

  • AC/DC-Adapter und Ladegeräte
  • Netzteile für Unterhaltungselektronik
  • Industrie- und Telekommunikationsausrüstung
  • LED-Beleuchtungstreiber
  • Hilfsstrommodule

Warum GaNSense™-Technologie wählen?

Die Navitas GaNSense™ ICs integrieren GaN-Leistung, Ansteuerung, Regelung und Schutz und ermöglichen so bis zu dreimal schnelleres Laden, dreimal höhere Leistungsdichte und bis zu 40 % Energieeinsparung im Vergleich zu herkömmlichen Siliziumlösungen. Dadurch eignet sich der NV9582F1P3-RA ideal für Leistungswandlungssysteme der nächsten Generation, die hohe Effizienz, kompakte Bauweise und zuverlässige Leistung erfordern.

Technische Spezifikationen

Alle Spezifikationen können ohne vorherige Ankündigung geändert werden. Vollständige technische Details und Anwendungshinweise entnehmen Sie bitte dem Datenblatt des Herstellers.


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Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller Navitas Semiconductor, Inc.
Produktserie GaNSense™
Verpackung Tonband & Spule (TR) |
Ausgangsisolierung Isoliert
Interner Schalter/Interne Schalter Ja
Spannung - Durchschlag 700 V
Topologie Flyback, Sekundärseite SR
Spannung - Anlauf 13,5 V
Spannung - Versorgung (Vcc/Vdd) 6,5 V ~ 77 V
Tastverhältnis 75%
Frequenz - Schalten 100 kHz, 129 kHz
Leistung (Watt) -
Fehlerschutz Überlastung, Übertemperatur, Überspannung, Kurzschluss
Steuerungsfunktionen -
Betriebstemperatur -40 °C ~ 125 °C (TA)
Grad -
Qualifikation -
Montageart Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse 23-PowerVQFN
Gerätepaket des Lieferanten 23-QFN (5x6)

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