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Netsol

S6R2016WEB-UI10T

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Netsol S6R2016WEB-UI10T – Hochleistungsfähiges 2-Mbit-Asynchron-SRAM

Der Netsol S6R2016WEB-UI10T ist ein hochzuverlässiger 2-Mbit-asynchroner SRAM, der für unternehmenskritische Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, der Industrie, der Medizintechnik und der Telekommunikation entwickelt wurde. Mit seiner ultraschnellen Zugriffszeit von 10 ns und dem breiten Betriebsspannungsbereich (1,65 V bis 3,6 V) bietet diese Speicherlösung außergewöhnliche Leistung auch unter anspruchsvollen Bedingungen.

Hauptmerkmale und Vorteile

  • Ultraschneller Zugriff: Eine Zugriffszeit von 10 ns gewährleistet den schnellen Datenabruf für zeitkritische Anwendungen.
  • Flexible Stromversorgung: Breiter Spannungsbereich (1,65 V - 3,6 V) unterstützt diverse Systemarchitekturen
  • Erweiterter Temperaturbereich: Zuverlässiger Betrieb von -40 °C bis 85 °C für raue Umgebungen
  • Optimale Organisation: Die 128K x 16-Konfiguration ermöglicht ein effizientes Speichermanagement.
  • Industriestandard-Gehäuse: 44-TSOP-Oberflächenmontagegehäuse für einfache Integration
  • RoHS-konform: Umweltfreundliches Design erfüllt globale Standards

Technische Spezifikationen

Anwendungen

Dieser Hochleistungs-SRAM ist ideal für:

  • Luft- und Raumfahrtsysteme sowie Verteidigungssysteme, die eine zuverlässige Datenspeicherung erfordern
  • Fahrzeugelektronik und fortschrittliche Fahrerassistenzsysteme (ADAS)
  • Industrielle Automatisierungs- und Steuerungssysteme
  • Medizinprodukte und Diagnosegeräte
  • Telekommunikationsinfrastruktur und Netzwerkgeräte
  • Hochgeschwindigkeits-Datenpufferungs- und Caching-Anwendungen

Warum HQICKEY wählen?

Wir bei HQICKEY sind spezialisiert auf hochzuverlässige Halbleiterlösungen für unternehmenskritische Anwendungen. Dank unseres umfangreichen Lagers und unserer technischen Expertise erhalten Sie die passenden Komponenten und erstklassigen Support.


Verwandte Produkte und Ressourcen

Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller Netsol
Produktserie
Verpackung |
Speichertyp Flüchtig
Speicherformat SRAM
Technologie SRAM - Asynchron
Speichergröße 2 Mbit
Speicherorganisation 128K x 16
Speicherschnittstelle Parallel
Taktfrequenz -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite -
Zugriffszeit 10 ns
Spannungsversorgung 1,65 V ~ 3,6 V
Betriebstemperatur -40 °C ~ 85 °C
Grad -
Qualifikation -
Montageart Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse 44-TSOP (0,400", 10,16 mm Breite)
Gerätepaket des Lieferanten 44-TSOP2
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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