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TH58BYG2S3HBAI6
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €82.005,95 EUR | €82.005,95 EUR |
| 15+ | €75.445,47 EUR | €1.131.682,05 EUR |
| 25+ | €73.805,36 EUR | €1.845.134,00 EUR |
| 50+ | €69.705,06 EUR | €3.485.253,00 EUR |
| 100+ | €61.504,46 EUR | €6.150.446,00 EUR |
| N+ | €12.300,89 EUR | Price Inquiry |
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Kioxia TH58BYG2S3HBAI6 - Hochzuverlässiger SLC-NAND-Flash-Speicher
Der TH58BYG2S3HBAI6 aus der Benand™-Serie von Kioxia America bietet außergewöhnliche Zuverlässigkeit und Leistung für industrielle, automobile und unternehmenskritische Anwendungen. Diese 4-Gbit-SLC-NAND-Flash-Speicherkomponente verfügt über integrierte Fehlerkorrektur (ECC) und fortschrittliche Wear-Leveling-Algorithmen, die Datenintegrität und eine lange Lebensdauer auch unter anspruchsvollen Bedingungen gewährleisten.
Hauptmerkmale und Vorteile
- Überragende Zuverlässigkeit: Die SLC-Technologie (Single-Level Cell) bietet die höchste Ausdauer und Datenspeicherung aller NAND-Flash-Speichertypen.
- Industrieller Temperaturbereich: Zuverlässiger Betrieb von -40 °C bis 85 °C für Anwendungen in rauen Umgebungen.
- Schnelle Zugriffsleistung: Zugriffszeit und Schreibzykluszeit von 25 ns für einen reaktionsschnellen Systembetrieb
- Kompakte Bauform: Das oberflächenmontierbare 67-VFBGA-Gehäuse (6,5 x 8 mm) optimiert den Platz auf der Leiterplatte.
- Breiter Spannungsbereich: 1,7 V bis 1,95 V Versorgungsspannung für flexible Stromversorgung
- Parallele Schnittstelle: Die standardisierte parallele Schnittstelle vereinfacht die Integration in bestehende Designs.
Ideale Anwendungsbereiche
Ideal für Kfz-Steuergeräte, industrielle Steuerungen, medizinische Geräte, Telekommunikationsausrüstung, Luft- und Raumfahrtsysteme und alle Anwendungen, die eine langfristige Datenspeicherung und hohe Schreibbeständigkeit erfordern.
Vollständige technische Spezifikationen
RoHS-konform für mehr Umweltverantwortung. Autorisierter Händler mit vollständiger Rückverfolgbarkeit und Qualitätssicherung.
| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | Kioxia America, Inc. |
| Produktserie | Benand™ |
| Verpackung | | Tablett |
| Speichertyp | Nicht flüchtig |
| Speicherformat | BLITZ |
| Technologie | FLASH - NAND (SLC) |
| Speichergröße | 4 Gbit/s |
| Speicherorganisation | 512 m x 8 |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | - |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 25 ns |
| Zugriffszeit | 25 ns |
| Spannungsversorgung | 1,7 V ~ 1,95 V |
| Betriebstemperatur | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 67-VFBGA |
| Gerätepaket des Lieferanten | 67-VFBGA (6,5x8) |
| RoHS |  |
TH58BYG2S3HBAI6.pdf