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Kioxia America, Inc.

THGJFMT1E45BATV

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Recycling Electronic Components

Kioxia THGJFMT1E45BATV – Hochleistungsfähiger 256-GB-UFS-4.0-NAND-Flash-Speicher

Der THGJFMT1E45BATV von Kioxia America bietet Flash-Speicherleistung der Enterprise-Klasse mit UFS 4.0 Schnittstellentechnologie und wurde für anspruchsvolle Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, der Industrie und der Telekommunikation entwickelt, die zuverlässige, hochdichte nichtflüchtige Speicherlösungen erfordern.

Hauptmerkmale und Vorteile

  • Ultraschnelle UFS 4.0-Schnittstelle: Die Taktfrequenz von 2,32 GHz ermöglicht eine schnelle Datenübertragung für unternehmenskritische Systeme.
  • Hochdichte Speicherung: 2 Tbit (256 GB) Kapazität in TLC-NAND-Architektur, optimiert für platzsparende Designs
  • Breiter Betriebstemperaturbereich: -25 °C bis 85 °C gewährleistet zuverlässige Leistung in rauen Industrieumgebungen
  • Authentische Kioxia-Qualität: Bezogen von autorisierten Händlern mit vollständiger Herstellerdokumentation und Rückverfolgbarkeit
  • Langfristiger Support: Unterstützt durch Kioxias Engagement für eine verlängerte Produktverfügbarkeit für kritische Anwendungen

Technische Spezifikationen

Anwendungen

Ideal für hochzuverlässige Systeme wie Avionik in der Luft- und Raumfahrt, Infotainment- und ADAS-Systeme für die Automobilindustrie, industrielle Automatisierungssteuerungen, Telekommunikationsinfrastruktur und eingebettete Computerplattformen, die bewährte NAND-Flash-Technologie mit erweiterter Temperaturtoleranz erfordern.

Qualitätssicherung

Jede THGJFMT1E45BATV-Einheit wird über autorisierte Kioxia-Vertriebskanäle bezogen, wodurch 100% authentische Komponenten mit vollständiger Herstellerdokumentation, Chargenrückverfolgbarkeit und Konformitätszertifizierung für missionskritische Einsätze gewährleistet werden.

Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller Kioxia America, Inc.
Produktserie
Verpackung Tablett | Tablett
Speichertyp Nicht flüchtig
Speicherformat BLITZ
Technologie FLASH - NAND (TLC)
Speichergröße 2 Terabit
Speicherorganisation 256 g x 8
Speicherschnittstelle UFS 4.0
Taktfrequenz 2,32 GHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite -
Zugriffszeit -
Spannungsversorgung 2,4 V ~ 2,7 V
Betriebstemperatur -25 °C ~ 85 °C
Grad -
Qualifikation -
Montageart -
Verpackung / Gehäuse -
Gerätepaket des Lieferanten -

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