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Kioxia America, Inc.

THGJFMT2E46BATV

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Recycling Electronic Components

Kioxia THGJFMT2E46BATV - Hochdichter UFS 4.0 NAND-Flash-Speicher

Der Kioxia THGJFMT2E46BATV ist ein Premium-4-Tbit-(512-GB)-UFS-4.0-NAND-Flash-Speicher, der für Hochleistungsanwendungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, der Industrie und der Telekommunikation entwickelt wurde. Dank fortschrittlicher TLC-Technologie (Triple-Level Cell) und einer Taktfrequenz von 2,32 GHz bietet diese Komponente außergewöhnliche Geschwindigkeit und Zuverlässigkeit für unternehmenskritische Systeme.

Hauptmerkmale und Vorteile

  • Extrem hohe Kapazität: 4 TB (512 GB) Speichergröße mit 512 GB x 8-Organisation
  • Neueste UFS 4.0-Schnittstelle: Branchenführende Taktfrequenz von 2,32 GHz für maximalen Durchsatz
  • Fortschrittliche TLC-NAND-Technologie: Optimiertes Verhältnis von Speicherdichte, Leistung und Lebensdauer
  • Breiter Betriebstemperaturbereich: -25 °C bis 85 °C für anspruchsvolle industrielle Umgebungen
  • Authentische Kioxia-Qualität: Lagerbestand des autorisierten Händlers mit vollständiger Herstellerdokumentation und Rückverfolgbarkeit
  • Langfristiger Support: Garantierte Verfügbarkeit über einen verlängerten Produktlebenszyklus hinweg.

Anwendungen

Ideal für Infotainmentsysteme in der Automobilindustrie, industrielle IoT-Geräte, Datenrekorder für die Luft- und Raumfahrt, Telekommunikationsinfrastruktur und andere hochzuverlässige eingebettete Anwendungen, die bewährte NAND-Flash-Technologie erfordern.

Vollständige technische Spezifikationen

Warum sollten Sie sich für unsere autorisierten Händler entscheiden?

Wir liefern Original-Kioxia-Komponenten direkt von autorisierten Händlern und garantieren so 100%ige Authentizität, vollständige Herstellerdokumentation und lückenlose Rückverfolgbarkeit der Lieferkette. Jedes Gerät steht für unser Qualitätsversprechen und die langfristige Produktverfügbarkeit für Ihre kritischen Anwendungen.

Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller Kioxia America, Inc.
Produktserie
Verpackung Tablett | Tablett
Speichertyp Nicht flüchtig
Speicherformat BLITZ
Technologie FLASH - NAND (TLC)
Speichergröße 4 TB
Speicherorganisation 512 g x 8
Speicherschnittstelle UFS 4.0
Taktfrequenz 2,32 GHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite -
Zugriffszeit -
Spannungsversorgung 2,4 V ~ 2,7 V
Betriebstemperatur -25 °C ~ 85 °C
Grad -
Qualifikation -
Montageart -
Verpackung / Gehäuse -
Gerätepaket des Lieferanten -

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