W25N512GWFIT TR

Winbond W25N512GWFIT TR - Hochleistungsfähiger SPI-NAND-Flash-Speicher

Der W25N512GWFIT TR von Winbond Electronics bietet herausragende Leistung und Zuverlässigkeit für eingebettete Systeme, die nichtflüchtigen Speicher benötigen. Dieser 512-Mbit-SPI-NAND-Flash-Speicher-IC verfügt über eine Quad-I/O-Schnittstelle für Hochgeschwindigkeits-Datenübertragung mit bis zu 104 MHz und eignet sich daher ideal für Anwendungen in Industrie, Automobil, IoT und Unterhaltungselektronik.

Hauptmerkmale und Vorteile

• Speicher mit hoher Dichte: Die 512-Mbit-Speicherorganisation (64M x 8) bietet ausreichend Platz für Firmware, Datenprotokollierung und Anwendungscode.
• Hohe Leistung: Die SPI-Quad-I/O-Schnittstelle mit 104 MHz Taktfrequenz gewährleistet schnelle Lese-/Schreibvorgänge mit einer Zugriffszeit von 7 ns.
• Betrieb mit niedrigem Stromverbrauch: Der Versorgungsspannungsbereich von 1,7 V bis 1,95 V optimiert die Energieeffizienz für batteriebetriebene und energiebewusste Designs.
• Industrieller Temperaturbereich: Der Betriebstemperaturbereich von -40 °C bis 85 °C gewährleistet zuverlässige Leistung auch unter rauen Umgebungsbedingungen.
• SLC-NAND-Technologie: Die Single-Level-Cell-Architektur bietet im Vergleich zu MLC-Alternativen eine überlegene Ausdauer und Datenspeicherung.
• Oberflächenmontagegehäuse: 16-SOIC (7,50 mm Breite) ermöglicht kompakte Leiterplattenlayouts und automatisierte Bestückung
• RoHS-konform: Umweltfreundliche Fertigung erfüllt globale Regulierungsstandards.

Technische Spezifikationen

Anwendungen

Der W25N512GWFIT TR wurde für anspruchsvolle Anwendungen wie industrielle Steuerungen, Infotainmentsysteme für Automobile, IoT-Edge-Geräte, medizinische Geräte, Netzwerk-Hardware und Unterhaltungselektronik entwickelt, die einen zuverlässigen, nichtflüchtigen Speicher mit langer Verfügbarkeit erfordern.

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• W25N512GWFIT TR.pdf