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W29N02GVBIAF TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €3,95 EUR | €3,95 EUR |
| 15+ | €3,63 EUR | €54,45 EUR |
| 25+ | €3,56 EUR | €89,00 EUR |
| 50+ | €3,36 EUR | €168,00 EUR |
| 100+ | €2,96 EUR | €296,00 EUR |
| N+ | €0,59 EUR | Price Inquiry |
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Winbond W29N02GVBIAF TR - Hochleistungsfähiger 2-Gbit-NAND-Flash-Speicher
Der W29N02GVBIAF TR von Winbond Electronics ist ein hochwertiger 2-Gbit-NAND-Flash-Speicher-IC, der für hochzuverlässige Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, der Industrie, der Medizintechnik und der Telekommunikation entwickelt wurde. Diese oberflächenmontierbare Speicherkomponente nutzt SLC-Technologie (Single-Level Cell) und bietet dadurch außergewöhnliche Ausdauer und Datenspeicherung für unternehmenskritische Systeme.
Hauptmerkmale und Vorteile
- Hochdichter Speicher: 2 Gbit Kapazität mit 256M x 8 Speicherorganisation
- Hohe Leistung: 25 ns Schreibzykluszeit und Zugriffszeit für schnelle Datenoperationen
- Breiter Betriebsbereich: Temperaturbeständigkeit von -40 °C bis 85 °C für industrielle Umgebungen
- Zuverlässige SLC-Technologie: Überlegene Ausdauer und Datenintegrität im Vergleich zu MLC/TLC-Alternativen.
- Kompaktes Gehäuse: 63-VFBGA (9x11) SMD-Design für Anwendungen mit begrenztem Platzangebot
- Flexible Stromversorgung: Betriebsspannungsbereich 2,7 V bis 3,6 V
- RoHS-konform: Umweltfreundliche Fertigungsstandards
Technische Spezifikationen
Anwendungen
Der W29N02GVBIAF TR eignet sich ideal für eingebettete Systeme, die einen zuverlässigen, nichtflüchtigen Speicher benötigen, darunter Industriesteuerungen, Automobilelektronik, Medizingeräte, Netzwerkgeräte und Datenlogger. Seine SLC-NAND-Architektur gewährleistet eine gleichbleibende Leistung und einen langen Produktlebenszyklus.
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| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | Winbond Electronics |
| Produktserie | |
| Verpackung | Tonband & Spule (TR) | |
| Speichertyp | Nicht flüchtig |
| Speicherformat | BLITZ |
| Technologie | FLASH - NAND (SLC) |
| Speichergröße | 2 Gbit/s |
| Speicherorganisation | 256 m x 8 |
| Speicherschnittstelle | - |
| Taktfrequenz | - |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 25 ns |
| Zugriffszeit | 25 ns |
| Spannungsversorgung | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Betriebstemperatur | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 63-VFBGA |
| Gerätepaket des Lieferanten | 63-VFBGA (9x11) |
| RoHS |  |
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