W29N02KVBIAE TR

Winbond W29N02KVBIAE TR - Hochleistungsfähiger 2-Gbit-SLC-NAND-Flash-Speicher

Der Winbond W29N02KVBIAE TR ist ein hochwertiger 2-Gigabit-SLC-NAND-Flash-Speicher (Single-Level Cell), der speziell für unternehmenskritische Anwendungen entwickelt wurde, die höchste Zuverlässigkeit, Langlebigkeit und Datenspeicherung erfordern. Ausgestattet mit einer branchenüblichen ONFI-Schnittstelle und organisiert als 256M x 8, bietet diese nichtflüchtige Speicherkomponente robuste Leistung in einem industriellen Temperaturbereich von -40 °C bis 85 °C.

Hauptmerkmale und Vorteile

• Überlegene SLC-Technologie: Die Single-Level-Cell-Architektur gewährleistet maximale Ausdauer und Datenintegrität für anspruchsvolle Industrie-, Automobil- und Telekommunikationsanwendungen.
• Hohe Leistungsfähigkeit: 20 ns Zugriffszeit und 25 ns Schreibzykluszeit ermöglichen einen schnellen Datendurchsatz für zeitkritische Operationen.
• Breiter Betriebsspannungsbereich: Der Versorgungsspannungsbereich von 2,7 V bis 3,6 V ermöglicht eine flexible Integration in verschiedene Systemarchitekturen.
• Erweiterter Temperaturbereich: Der Betriebstemperaturbereich von -40 °C bis 85 °C gewährleistet einen zuverlässigen Betrieb auch unter rauen Umgebungsbedingungen.
• Industriestandard-Schnittstelle: ONFI-Kompatibilität (Open NAND Flash Interface) vereinfacht die Integration und gewährleistet breite Ökosystemunterstützung.
• Kompaktes SMD-Gehäuse: 63-VFBGA-Format (9 x 11 mm) optimiert die Platinenplatznutzung
• RoHS-konform: Erfüllt die Umweltauflagen für bleifreie Fertigung

Technische Spezifikationen

Anwendungen und Anwendungsfälle

Der W29N02KVBIAE TR eignet sich ideal für:

• Industrielle Automatisierungs- und Steuerungssysteme
• Infotainment und Telematik im Automobilbereich
• Datenprotokollierung von Medizinprodukten
• Telekommunikationsinfrastruktur
• Luft- und Raumfahrtsysteme sowie Verteidigungssysteme
• IoT-Edge-Computing-Geräte
• Speicher für Firmware eingebetteter Systeme

Qualität und Zuverlässigkeit

Der von Winbond Electronics, einem weltweit führenden Anbieter von Halbleiterspeicherlösungen, gefertigte W29N02KVBIAE TR durchläuft strenge Qualitätsprüfungen, um langfristige Zuverlässigkeit und konstante Leistung zu gewährleisten. Die SLC-NAND-Architektur bietet im Vergleich zu MLC- oder TLC-Alternativen eine deutlich höhere Lebensdauer und ist daher die bevorzugte Wahl für Anwendungen, bei denen Datenintegrität und eine lange Lebensdauer der Schreibzyklen von höchster Bedeutung sind.

Designressourcen & Unterstützung

Um Ihren Entwicklungszyklus zu beschleunigen, stehen Ihnen umfassende technische Dokumentationen, Anwendungshinweise und Designunterstützung zur Verfügung. Unser Entwicklungsteam bietet Ihnen umfassende Unterstützung bei Integration, Tests und Qualifizierung, um eine erfolgreiche Implementierung in Ihrer Zielanwendung sicherzustellen.

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