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Winbond Electronics

W631GG6MB-12 TR

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Winbond W631GG6MB-12 TR - Hochleistungs-DDR3-SDRAM-Speicher-IC

Der W631GG6MB-12 TR von Winbond Electronics ist ein leistungsstarker 1-Gbit-DDR3-SDRAM-Speicherchip, der für anspruchsvolle Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, der Industrieautomation, der Medizintechnik und der Telekommunikation entwickelt wurde. Diese flüchtige Speicherlösung bietet außergewöhnliche Geschwindigkeit und Zuverlässigkeit mit einer Taktfrequenz von 800 MHz und einer Zugriffszeit von 20 ns.

Hauptmerkmale und Vorteile

  • Hohe Geschwindigkeit: Eine Taktfrequenz von 800 MHz bei einer Zugriffszeit von 20 ns gewährleistet eine schnelle Datenverarbeitung für zeitkritische Anwendungen.
  • Optimale Speicherorganisation: Die 64M x 16-Konfiguration ermöglicht eine flexible Integration in eingebettete Systeme und industrielle Steuerungen.
  • Breiter Betriebstemperaturbereich: 0 °C bis 95 °C (TC) ermöglicht den Einsatz in rauen Industrieumgebungen.
  • Industriestandard-Schnittstelle: Die parallele Speicherschnittstelle gewährleistet Kompatibilität mit bestehenden Systemarchitekturen.
  • Kompaktes SMD-Gehäuse: 96-VFBGA-Gehäuse (7,5 x 13 mm) optimiert die Platinenplatznutzung.
  • RoHS-konform: Umweltverträgliches Design erfüllt globale regulatorische Standards.
  • Zuverlässige Stromversorgung: Der Betriebsspannungsbereich von 1,425 V bis 1,575 V gewährleistet einen stabilen Betrieb.

Ideale Anwendungsbereiche

Dieser DDR3-SDRAM wurde für professionelle Systeme entwickelt, die einen schnellen und zuverlässigen flüchtigen Speicher benötigen, darunter Netzwerkrouter, industrielle SPSen, medizinische Bildgebungsgeräte, Infotainmentsysteme für Fahrzeuge und Avionik für die Luft- und Raumfahrt. Der erweiterte Temperaturbereich und die robuste Bauweise machen ihn ideal für unternehmenskritische Anwendungen, bei denen Leistung und Langlebigkeit höchste Priorität haben.

Vollständige technische Spezifikationen

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Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller Winbond Electronics
Produktserie
Verpackung Schneideband (CT) |
Speichertyp Flüchtig
Speicherformat DRAM
Technologie SDRAM - DDR3
Speichergröße 1 Gbit/s
Speicherorganisation 64 m x 16
Speicherschnittstelle Parallel
Taktfrequenz 800 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite -
Zugriffszeit 20 ns
Spannungsversorgung 1,425 V ~ 1,575 V
Betriebstemperatur 0 °C ~ 95 °C (TC)
Grad -
Qualifikation -
Montageart Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse 96-VFBGA
Gerätepaket des Lieferanten 96-VFBGA (7,5x13)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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