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Winbond Electronics

W631GG6NB09I

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Winbond W631GG6NB09I - Hochleistungsfähiger 1-Gbit-DDR3-SDRAM-Speicher-IC

Der Winbond W631GG6NB09I ist ein hochzuverlässiger 1-Gbit-DDR3-SDRAM-Speicherchip, der für anspruchsvolle Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, der Industrie, der Medizintechnik und der Telekommunikation entwickelt wurde. Mit einer Speicherorganisation von 64M x 16 und einer SSTL_15-Schnittstelle bietet diese Komponente herausragende Leistung mit einer Taktfrequenz von 1,066 GHz und einer Zugriffszeit von 20 ns.

Hauptmerkmale:

  • 1-Gbit-DDR3-SDRAM mit 64M x 16-Organisation
  • Hohe Taktfrequenz von 1,066 GHz für schnelle Datenverarbeitung
  • Breiter Betriebstemperaturbereich: -40 °C bis 95 °C (TC)
  • Niederspannungsbetrieb: 1,425 V ~ 1,575 V
  • Oberflächenmontierbares 96-VFBGA-Gehäuse (7,5 x 13 mm)
  • RoHS-konform für Umweltschutz
  • SSTL_15 Schnittstellenstandard

Anwendungsbereiche: Ideal für eingebettete Systeme, industrielle Automatisierung, Automobilelektronik, medizinische Geräte, Telekommunikationsgeräte und andere unternehmenskritische Anwendungen, die eine lange Verfügbarkeit über den gesamten Lebenszyklus und vollständige Rückverfolgbarkeit erfordern.

Unterstützt durch eine umfassende technische Dokumentation einschließlich Datenblättern und Referenzdesigns zur Unterstützung Ihres Design-In-Prozesses.

Vollständige technische Spezifikationen

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Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller Winbond Electronics
Produktserie
Verpackung Tablett |
Speichertyp Flüchtig
Speicherformat DRAM
Technologie SDRAM - DDR3
Speichergröße 1 Gbit/s
Speicherorganisation 64 m x 16
Speicherschnittstelle SSTL_15
Taktfrequenz 1,066 GHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15 ns
Zugriffszeit 20 ns
Spannungsversorgung 1,425 V ~ 1,575 V
Betriebstemperatur -40 °C ~ 95 °C (TC)
Grad -
Qualifikation -
Montageart Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse 96-VFBGA
Gerätepaket des Lieferanten 96-VFBGA (7,5x13)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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