W631GU6RB09I TR

Winbond W631GU6RB09I TR - Hochleistungs-DDR3L-SDRAM-Speicher-IC

Der Winbond W631GU6RB09I TR ist ein hochwertiger 1-Gbit-DDR3L-SDRAM-Speicherchip, der für industrielle Anwendungen, die Automobilindustrie und eingebettete Systeme mit Bedarf an zuverlässigen und energieeffizienten Speicherlösungen entwickelt wurde. Diese Original-Halbleiterkomponente von Winbond bietet herausragende Leistung mit einer Taktfrequenz von 1,066 GHz und arbeitet effizient in einem breiten Temperaturbereich von -40 °C bis 95 °C.

Hauptmerkmale und Vorteile

• Speicher mit hoher Dichte: 1 Gbit Kapazität mit 64M x 16 Organisation bietet ausreichend Speicherplatz für anspruchsvolle Anwendungen.
• Geringer Stromverbrauch: Die DDR3L-Technologie arbeitet mit einer Spannung von 1,283 V bis 1,45 V und reduziert so den Energieverbrauch im Vergleich zu Standard-DDR3.
• Hohe Leistung: Eine Taktfrequenz von 1,066 GHz bei einer Zugriffszeit von 20 ns gewährleistet eine schnelle Datenverarbeitung.
• Industrielle Zuverlässigkeit: Der erweiterte Betriebstemperaturbereich (-40 °C bis 95 °C) macht es ideal für raue Umgebungen
• Authentische Winbond-Qualität: Originalkomponenten mit umfassender Lebenszyklusgarantie und Rückverfolgbarkeit
• Oberflächenmontage-Design: 96-VFBGA-Gehäuse (7,5 x 13 mm), optimiert für kompakte Leiterplattenlayouts

Technische Spezifikationen

Anwendungen

Dieser DDR3L SDRAM eignet sich perfekt für:

• Industrielle Automatisierungs- und Steuerungssysteme
• Automotive Infotainment- und ADAS-Anwendungen
• IoT-Edge-Computing-Geräte
• Medizinische Geräte und Instrumente
• Telekommunikationsinfrastruktur
• Eingebettete Computerplattformen

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