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Winbond Electronics

W631GU6RB11I TR

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Winbond W631GU6RB11I TR - Hochleistungs-DDR3L-SDRAM-Speicher-IC

Der W631GU6RB11I TR von Winbond Electronics bietet zuverlässige und energieeffiziente Speicherleistung für industrielle Anwendungen, die Automobilindustrie und eingebettete Systeme. Dieser 1-Gbit-DDR3L-SDRAM arbeitet mit 1,35 V und ermöglicht so erhebliche Energieeinsparungen bei gleichzeitig hoher Datenübertragungsrate von 933 MHz.

Hauptmerkmale und Vorteile

  • 1 Gbit Kapazität: Die Speicherorganisation 64M x 16 bietet ausreichend Speicherplatz für anspruchsvolle Anwendungen.
  • Geringer Stromverbrauch: Die DDR3L-Technologie mit 1,35-V-Betrieb reduziert den Energieverbrauch im Vergleich zu Standard-DDR3 um bis zu 15 %.
  • Hohe Leistungsfähigkeit: Eine Taktfrequenz von 933 MHz bei einer Schreibzykluszeit von 15 ns gewährleistet eine schnelle Datenverarbeitung.
  • Industrieller Temperaturbereich: Zuverlässiger Betrieb von -40 °C bis 95 °C für Einsätze unter rauen Umgebungsbedingungen.
  • Oberflächenmontagegehäuse: 96-VFBGA (7,5 x 13 mm) ermöglicht kompakte Leiterplattendesigns
  • RoHS-konform: Umweltfreundliche Fertigung erfüllt globale Standards

Ideale Anwendungsbereiche

Ideal für industrielle Steuerungen, Infotainmentsysteme in der Automobilindustrie, Netzwerkgeräte, medizinische Geräte, IoT-Edge-Computing und eingebettete Systeme, die stabile Speicherkomponenten mit langer Lebensdauer erfordern.

Vollständige technische Spezifikationen

Warum HQICKEY wählen?

Als weltweit anerkannter Distributor von Original-Halbleiterkomponenten bietet HQICKEY garantiert authentische Winbond-Produkte mit vollständiger Rückverfolgbarkeit, technischem Support und langfristigen Lieferzusagen. Jede Komponente wird direkt aus autorisierten Vertriebskanälen bezogen, um Qualität und Zuverlässigkeit für Ihre kritischen Anwendungen zu gewährleisten.

Verwandte Ressourcen

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Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller Winbond Electronics
Produktserie
Verpackung Tonband & Spule (TR) |
Speichertyp Flüchtig
Speicherformat DRAM
Technologie SDRAM - DDR3L
Speichergröße 1 Gbit/s
Speicherorganisation 64 m x 16
Speicherschnittstelle Parallel
Taktfrequenz 933 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15 ns
Zugriffszeit 20 ns
Spannungsversorgung 1,283 V ~ 1,45 V
Betriebstemperatur -40 °C ~ 95 °C (TC)
Grad -
Qualifikation -
Montageart Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse 96-VFBGA
Gerätepaket des Lieferanten 96-VFBGA (7,5x13)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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