W631GU8RB-09
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €1,95 EUR | €1,95 EUR |
| 15+ | €1,79 EUR | €26,85 EUR |
| 25+ | €1,76 EUR | €44,00 EUR |
| 50+ | €1,66 EUR | €83,00 EUR |
| 100+ | €1,46 EUR | €146,00 EUR |
| N+ | €0,29 EUR | Price Inquiry |
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Winbond W631GU8RB-09 DDR3L SDRAM Speicher-IC
Der W631GU8RB-09 von Winbond Electronics ist ein leistungsstarker 1-Gbit-DDR3L-SDRAM-Speicher-IC, der für industrielle Anwendungen, Automobilanwendungen, IoT-Anwendungen und eingebettete Systeme entwickelt wurde, die zuverlässige, stromsparende Speicherlösungen mit langer Lebensdauer erfordern.
Hauptmerkmale und Vorteile
- Geringer Stromverbrauch: Die DDR3L-Technologie arbeitet mit 1,283 V bis 1,45 V und reduziert den Stromverbrauch im Vergleich zu Standard-DDR3 um bis zu 15 %.
- Hohe Leistungsfähigkeit: Eine Taktfrequenz von 1,066 GHz mit einer Schreibzykluszeit von 15 ns und einer Zugriffszeit von 20 ns gewährleistet eine reaktionsschnelle Systemleistung.
- Industrieller Temperaturbereich: Zuverlässiger Betrieb von 0 °C bis 95 °C (TC), ideal für raue Industrieumgebungen
- Flexible Speicherorganisation: Die 128M x 8-Konfiguration bietet ein optimales Gleichgewicht für eingebettete Anwendungen.
- Kompaktes SMD-Gehäuse: 78-VFBGA-Footprint (8x10,5 mm) spart wertvollen Platz auf der Leiterplatte.
- RoHS-konform: Umweltfreundlich, erfüllt globale Regulierungsstandards.
- Authentisch und rückverfolgbar: Direkt von autorisierten Händlern bezogen, mit umfassender Herstellerunterstützung und Produktlebenszyklusgarantie.
Typische Anwendungen
Dieser Speicher-IC eignet sich ideal für industrielle Steuerungen, Infotainmentsysteme in der Automobilindustrie, IoT-Edge-Geräte, Netzwerkgeräte, medizinische Instrumente und andere eingebettete Systeme, die eine stabile, langfristige Speicherversorgung mit nachgewiesener Zuverlässigkeit erfordern.
Technische Spezifikationen
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| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | Winbond Electronics |
| Produktserie | |
| Verpackung | Tablett | |
| Speichertyp | Flüchtig |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - DDR3L |
| Speichergröße | 1 Gbit/s |
| Speicherorganisation | 128 m x 8 |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 1,066 GHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15 ns |
| Zugriffszeit | 20 ns |
| Spannungsversorgung | 1,283 V ~ 1,45 V |
| Betriebstemperatur | 0 °C ~ 95 °C (TC) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 78-VFBGA |
| Gerätepaket des Lieferanten | 78-VFBGA (8x10,5) |
| RoHS |
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