W632GG6NB09I TR

Winbond W632GG6NB09I TR - Hochleistungs-DDR3-SDRAM-Speicher-IC

Der W632GG6NB09I TR von Winbond Electronics ist ein hochzuverlässiger 2-Gbit-DDR3-SDRAM-Speicherchip, der für anspruchsvolle Anwendungen in Industrie, Automobil, Telekommunikation und eingebetteten Systemen entwickelt wurde. Mit einer Speicherorganisation von 128M x 16 und einer Taktfrequenz von 1,066 GHz bietet dieser Speicherchip außergewöhnliche Leistung bei geringem Stromverbrauch.

Hauptmerkmale und Vorteile

• Hochdichter Speicher: 2 Gbit Kapazität mit 128M x 16 Organisation für effiziente Datenspeicherung
• Hohe Leistungsfähigkeit: 1,066 GHz Taktfrequenz mit 20 ns Zugriffszeit und 15 ns Schreibzyklus
• Industriestandard-Schnittstelle: SSTL_15-Schnittstelle für nahtlose Integration
• Breiter Betriebstemperaturbereich: -40 °C bis 95 °C (TC) für Anwendungen in rauen Umgebungen
• Niederspannungsbetrieb: Versorgungsspannung von 1,425 V bis 1,575 V für Energieeffizienz
• Kompakte Oberflächenmontage: 96-VFBGA-Gehäuse (7,5 x 13 mm) spart Platz auf der Platine
• RoHS-konform: Umweltfreundlich, erfüllt globale Konformitätsstandards.

Anwendungen

Ideal für die Avionik in der Luft- und Raumfahrt, Infotainmentsysteme in der Automobilindustrie, Steuerungen für die industrielle Automatisierung, medizinische Bildgebungsgeräte, Telekommunikationsinfrastruktur und eingebettete Computerplattformen, die eine lange Verfügbarkeit über den gesamten Lebenszyklus und vollständige Rückverfolgbarkeit erfordern.

Vollständige technische Spezifikationen

Qualität & Konformität

Diese Komponente wird über autorisierte Vertriebskanäle bezogen, wodurch 100%ige Authentizität, vollständige Rückverfolgbarkeit und die Einhaltung der RoHS/REACH-Umweltstandards gewährleistet sind. Vollständiges Datenblatt und technische Dokumentation stehen zur Unterstützung bei der Entwicklung zur Verfügung.

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