W632GG8NB09I TR

Winbond W632GG8NB09I TR - Hochleistungs-DDR3-SDRAM-Speicher-IC

Der W632GG8NB09I TR von Winbond Electronics ist ein hochzuverlässiger 2-Gbit-DDR3-SDRAM-Speicherchip, der für anspruchsvolle Anwendungen in Industrie, Automobil, Telekommunikation und eingebetteten Systemen entwickelt wurde. Mit einer Speicherorganisation von 256M x 8 und einer SSTL_15-Schnittstelle bietet diese Komponente herausragende Leistung mit einer Taktfrequenz von 1,066 GHz und einer Zugriffszeit von 20 ns.

Hauptmerkmale und Vorteile

• Hohe Kapazität: 2 Gbit Speicherdichte in einem kompakten 78-VFBGA-SMD-Gehäuse
• Hohe Leistungsfähigkeit: 1,066 GHz Taktfrequenz mit 20 ns Zugriffszeit und 15 ns Schreibzykluszeit
• Breiter Temperaturbereich: Betrieb bei -40 °C bis 95 °C (TC) für industrielle und automobile Anwendungen
• Industriestandard-Schnittstelle: SSTL_15-Schnittstelle für nahtlose Integration
• RoHS-konform: Umweltfreundlich, erfüllt globale Konformitätsstandards.
• Zuverlässige Verpackung: Gurtverpackung (TR) für automatisierte Montageprozesse

Ideale Anwendungsbereiche

Dieser DDR3 SDRAM eignet sich perfekt für Netzwerkgeräte, industrielle Steuerungen, Infotainmentsysteme für Kraftfahrzeuge, medizinische Geräte, Telekommunikationsinfrastruktur und eingebettete Computerplattformen, die eine lange Lebensdauer und bewährte Zuverlässigkeit erfordern.

Technische Dokumentation

Vollständige Datenblätter, Referenzdesigns und Anwendungshinweise stehen Ihnen zur Verfügung, um Ihren Design-In-Prozess zu unterstützen. Unser technisches Team bietet umfassende Unterstützung vom Prototyp bis zur Serienproduktion.

Vollständige Produktspezifikationen

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