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Winbond Electronics

Winbond W632GG8NB11I – 2-Gbit-DDR3-SDRAM-Speicher-IC, 256M x 8, 933 MHz, 78-VFBGA

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Winbond W632GG8NB11I - Hochleistungs-DDR3-SDRAM-Speicher-IC

Der Winbond W632GG8NB11I ist ein 2-Gigabit-DDR3-SDRAM-Speicherchip, der für anspruchsvolle Industrie- und Embedded-Anwendungen entwickelt wurde, die zuverlässigen, schnellen flüchtigen Speicher benötigen. Mit einer 256M x 8-Struktur und einer Taktfrequenz von 933 MHz bietet dieser Speicherchip herausragende Leistung für datenintensive Systeme.

Hauptmerkmale und Vorteile

  • Hohe Leistungsfähigkeit: Eine Taktfrequenz von 933 MHz mit einer Schreibzykluszeit von 15 ns und einer Zugriffszeit von 20 ns gewährleistet einen schnellen Datendurchsatz.
  • Industrieller Temperaturbereich: Zuverlässiger Betrieb von -40 °C bis 95 °C (TC), wodurch es sich für raue Umgebungen eignet
  • Kompaktes SMD-Design: Das 78-VFBGA-Gehäuse (8 x 10,5 mm) optimiert den Platzbedarf auf der Leiterplatte bei beengten Platzverhältnissen.
  • RoHS-konform: Erfüllt die Umweltstandards für bleifreie Fertigung
  • Bewährte Zuverlässigkeit: Hergestellt von Winbond Electronics, einem führenden und vertrauenswürdigen Anbieter von Speicherlösungen

Typische Anwendungen

  • Industrielle Automatisierungs- und Steuerungssysteme
  • Automobilelektronik und Infotainment
  • Telekommunikationsinfrastruktur
  • Medizinische Geräte und Instrumente
  • Eingebettete Computerplattformen
  • Hochleistungs-Netzwerkgeräte

Vollständige technische Spezifikationen

Qualität und Rückverfolgbarkeit

Alle Winbond W632GG8NB11I-Einheiten stammen von autorisierten Distributoren und werden mit vollständiger Herstellerdokumentation zur Rückverfolgbarkeit geliefert. Wir garantieren 100 % Originalkomponenten und bieten umfassenden Support über den gesamten Lebenszyklus Ihrer kritischen Designs.

Benötigen Sie technische Unterstützung oder Mengenrabatte? Kontaktieren Sie unser Anwendungstechnik-Team für Datenblätter, Referenzdesigns und kundenspezifische Lösungen, die auf Ihre Projektanforderungen zugeschnitten sind.

Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller Winbond Electronics
Produktserie
Verpackung Tablett | Tablett
Speichertyp Flüchtig
Speicherformat DRAM
Technologie SDRAM - DDR3
Speichergröße 2 Gbit/s
Speicherorganisation 256 m x 8
Speicherschnittstelle Parallel
Taktfrequenz 933 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15 ns
Zugriffszeit 20 ns
Spannungsversorgung 1,425 V ~ 1,575 V
Betriebstemperatur -40 °C ~ 95 °C (TC)
Grad -
Qualifikation -
Montageart Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse 78-VFBGA
Gerätepaket des Lieferanten 78-VFBGA (8x10,5)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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