W632GG8NB11I TR

Winbond W632GG8NB11I TR - Hochleistungs-DDR3-SDRAM-Speicher-IC

Der Winbond W632GG8NB11I TR ist ein hochzuverlässiger 2-Gbit-DDR3-SDRAM-Speicherchip, der für anspruchsvolle Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, der Industrie, der Medizintechnik und der Telekommunikation entwickelt wurde. Mit einer Speicherorganisation von 256M x 8 und einer Taktfrequenz von 933 MHz bietet dieser SMD-Speicherchip herausragende Leistung und ist mit der SSTL_15-Schnittstelle kompatibel.

Hauptmerkmale:

• 2 Gbit Speicherkapazität mit 256M x 8 Organisation
• DDR3-SDRAM-Technologie für Hochgeschwindigkeits-Datenübertragung
• 933 MHz Taktfrequenz mit 15 ns Schreibzykluszeit
• Breiter Betriebstemperaturbereich: -40 °C bis 95 °C (TC)
• Niederspannungsbetrieb: 1,425 V bis 1,575 V
• 78-VFBGA-Gehäuse (8x10,5) für platzsparendes Design
• RoHS-konform für Umweltschutz
• Gurt- und Rollenverpackung für die automatisierte Montage

Anwendungsbereiche: Ideal für eingebettete Systeme, industrielle Steuerungen, Automobilelektronik, medizinische Geräte und Telekommunikationsgeräte, die zuverlässige, leistungsstarke flüchtige Speicherlösungen erfordern.

Qualität & Konformität: Hergestellt von Winbond Electronics mit vollständiger Rückverfolgbarkeit und RoHS/REACH-Konformität. Geeignet für Anwendungen mit langer Lebensdauer; Design-In-Unterstützung verfügbar.

Vollständige technische Spezifikationen

Verwandte Ressourcen

Entdecken Sie weitere leistungsstarke Halbleiterlösungen:

• Durchstöbern Sie unser komplettes Speichersortiment – ​​entdecken Sie eine breite Palette an Speicher-ICs, darunter DRAM-, SRAM-, Flash- und EEPROM-Lösungen führender Hersteller.
• Besuchen Sie die HQICKEY-Homepage – Ihre zuverlässige Quelle für hochwertige Halbleiterkomponenten, programmierbare Logikbausteine ​​und elektronische Bauteile für Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, der Industrie, der Medizintechnik und der Telekommunikation.
• Lesen Sie unsere neuesten Fachartikel und Branchenneuigkeiten – bleiben Sie über Trends in der Halbleitertechnologie, Anwendungsberichte, Designleitfäden und Produktankündigungen auf dem Laufenden.

• W632GG8NB11I TR.pdf