W632GG8NB12I
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €3,95 EUR | €3,95 EUR |
| 15+ | €3,63 EUR | €54,45 EUR |
| 25+ | €3,56 EUR | €89,00 EUR |
| 50+ | €3,36 EUR | €168,00 EUR |
| 100+ | €2,96 EUR | €296,00 EUR |
| N+ | €0,59 EUR | Price Inquiry |
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Winbond W632GG8NB12I - 2-Gbit-DDR3-SDRAM-Speicher-IC
Der W632GG8NB12I von Winbond Electronics ist ein leistungsstarker 2-Gbit-DDR3-SDRAM-Speicherchip, der für anspruchsvolle Industrie-, Automobil- und Embedded-Anwendungen entwickelt wurde. Dieser 256M x 8-Speicherchip arbeitet mit einer Taktfrequenz von 800 MHz und einer Zugriffszeit von 20 ns und bietet zuverlässige Leistung in einem erweiterten Temperaturbereich von -40 °C bis 95 °C.
Hauptmerkmale und Vorteile
- Speicher mit hoher Dichte: 2 Gbit Kapazität im kompakten 78-VFBGA (8 x 10,5 mm) SMD-Gehäuse
- Industrielle Zuverlässigkeit: Erweiterter Betriebstemperaturbereich (-40 °C bis 95 °C TC) für raue Umgebungen
- Hohe Leistungsfähigkeit: 800 MHz Taktfrequenz mit 15 ns Schreibzykluszeit und 20 ns Zugriffszeit
- DDR3-Technologie: Industriestandard-SDRAM-Schnittstelle für breite Kompatibilität
- RoHS-konform: Umweltfreundlich, erfüllt internationale Konformitätsstandards.
- Flexible Versorgungsspannung: Betriebsspannungsbereich 1,425 V bis 1,575 V
Ideale Anwendungsbereiche
Ideal für die Luft- und Raumfahrt, die Automobilindustrie, industrielle Steuerungssysteme, medizinische Geräte, Telekommunikationsgeräte und andere Anwendungen, die eine lange Lebensdauer und hohe Zuverlässigkeit unter anspruchsvollen Umgebungsbedingungen erfordern.
Vollständige technische Spezifikationen
Autorisierter Händler: Wir sind ein autorisierter Händler und bieten Original-Winbond-Komponenten mit vollständiger Rückverfolgbarkeit, Herstellerdokumentation und langfristigem Support. Alle Produkte erfüllen die Anforderungen der RoHS- und REACH-Richtlinien.
| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | Winbond Electronics |
| Produktserie | |
| Verpackung | Tablett | |
| Speichertyp | Flüchtig |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - DDR3 |
| Speichergröße | 2 Gbit/s |
| Speicherorganisation | 256 m x 8 |
| Speicherschnittstelle | - |
| Taktfrequenz | 800 MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15 ns |
| Zugriffszeit | 20 ns |
| Spannungsversorgung | 1,425 V ~ 1,575 V |
| Betriebstemperatur | -40 °C ~ 95 °C (TC) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 78-VFBGA |
| Gerätepaket des Lieferanten | 78-VFBGA (8x10,5) |
| RoHS |

W632GG8NB12I.pdf