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W632GG8NB12I TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €3,95 EUR | €3,95 EUR |
| 15+ | €3,63 EUR | €54,45 EUR |
| 25+ | €3,56 EUR | €89,00 EUR |
| 50+ | €3,36 EUR | €168,00 EUR |
| 100+ | €2,96 EUR | €296,00 EUR |
| N+ | €0,59 EUR | Price Inquiry |
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Winbond W632GG8NB12I TR - 2-Gbit-DDR3-SDRAM-Speicher
Der Winbond W632GG8NB12I TR ist ein leistungsstarker 2-Gbit-DDR3-SDRAM-Speicherchip, der für anspruchsvolle Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, der Industrie, der Medizintechnik und der Telekommunikation entwickelt wurde. Dieser flüchtige DRAM verfügt über eine 256M x 8-Speicherorganisation mit einer Taktfrequenz von 800 MHz und einer SSTL_15-Schnittstelle und bietet zuverlässige Leistung in einem erweiterten Temperaturbereich von -40 °C bis 95 °C.
Hauptmerkmale:
- 2 Gbit Speicherkapazität mit 256M x 8 Organisation
- DDR3-SDRAM-Technologie mit 800-MHz-Betrieb
- SSTL_15-Schnittstelle für robuste Signalintegrität
- Erweiterter Temperaturbereich: -40 °C bis 95 °C (TC)
- Oberflächenmontierbares 78-VFBGA-Gehäuse (8x10,5 mm)
- Versorgungsspannung: 1,425 V bis 1,575 V
- Schnelle Zugriffszeit: 20 ns
- Band- und Rollenverpackung für die automatisierte Montage
Anwendungsbereiche: Ideal für eingebettete Systeme, industrielle Steuerungen, Automobilelektronik, medizinische Geräte und Telekommunikationsgeräte, die einen zuverlässigen Hochgeschwindigkeitsspeicher mit erweitertem Temperaturbetrieb und langer Lebensdauer erfordern.
Als autorisierter Distributor bieten wir Ihnen vollständige Rückverfolgbarkeit, Dokumentation zur RoHS/REACH-Konformität sowie technischen Support inklusive Datenblättern und Referenzdesigns, um Ihren Design-In-Prozess zu beschleunigen.
Vollständige technische Spezifikationen
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| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | Winbond Electronics |
| Produktserie | |
| Verpackung | Tonband & Spule (TR) | |
| Speichertyp | Flüchtig |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - DDR3 |
| Speichergröße | 2 Gbit/s |
| Speicherorganisation | 256 m x 8 |
| Speicherschnittstelle | SSTL_15 |
| Taktfrequenz | 800 MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15 ns |
| Zugriffszeit | 20 ns |
| Spannungsversorgung | 1,425 V ~ 1,575 V |
| Betriebstemperatur | -40 °C ~ 95 °C (TC) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 78-VFBGA |
| Gerätepaket des Lieferanten | 78-VFBGA (8x10,5) |
W632GG8NB12I TR.pdf