W632GG8NB15I
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €3,95 EUR | €3,95 EUR |
| 15+ | €3,63 EUR | €54,45 EUR |
| 25+ | €3,56 EUR | €89,00 EUR |
| 50+ | €3,36 EUR | €168,00 EUR |
| 100+ | €2,96 EUR | €296,00 EUR |
| N+ | €0,59 EUR | Price Inquiry |
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Winbond W632GG8NB15I - 2-Gbit-DDR3-SDRAM-Speicher-IC
Der W632GG8NB15I von Winbond Electronics ist ein leistungsstarker 2-Gbit-DDR3-SDRAM-Speicherchip, der für anspruchsvolle Anwendungen in Industrie, Automobilbranche, Medizintechnik und Telekommunikation entwickelt wurde. Mit einer Speicherorganisation von 256M x 8 und einer Taktfrequenz von 667 MHz bietet diese Komponente zuverlässige Leistung über einen weiten Temperaturbereich.
Hauptmerkmale und Vorteile
- Hochdichter Speicher: 2 Gbit Kapazität mit 256M x 8 Organisation für flexibles Systemdesign
- Hohe Leistungsfähigkeit: 667 MHz Taktfrequenz mit 20 ns Zugriffszeit und 15 ns Schreibzyklus
- Erweiterter Temperaturbereich: Betrieb bei -40 °C bis 95 °C (TC) für raue Umgebungen
- Industriestandard: DDR3-SDRAM-Technologie mit paralleler Speicherschnittstelle
- Kompaktes Gehäuse: 78-VFBGA (8x10,5 mm) SMD-Gehäuse
- RoHS-konform: Erfüllt die Umweltstandards für den weltweiten Einsatz
Ideale Anwendungsbereiche
Dieser Speicher-IC eignet sich perfekt für Luft- und Raumfahrtsysteme, Automobilelektronik, industrielle Steuerungssysteme, medizinische Geräte und Telekommunikationsinfrastrukturen, wo langer Lebenszyklussupport, vollständige Rückverfolgbarkeit und Betrieb in einem erweiterten Temperaturbereich entscheidende Anforderungen sind.
Vollständige technische Spezifikationen
Autorisierter Händler: Wir bieten 100 % rückverfolgbare, herstellerzertifizierte Komponenten mit vollständiger Dokumentation und langfristiger Produktlebenszyklusgarantie. Alle Produkte werden gemäß den Originalherstellerspezifikationen geliefert und entsprechen den RoHS/REACH-Standards.
| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | Winbond Electronics |
| Produktserie | |
| Verpackung | Tablett | |
| Speichertyp | Flüchtig |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - DDR3 |
| Speichergröße | 2 Gbit/s |
| Speicherorganisation | 256 m x 8 |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 667 MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15 ns |
| Zugriffszeit | 20 ns |
| Spannungsversorgung | 1,425 V ~ 1,575 V |
| Betriebstemperatur | -40 °C ~ 95 °C (TC) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 78-VFBGA |
| Gerätepaket des Lieferanten | 78-VFBGA (8x10,5) |
| RoHS |

W632GG8NB15I.pdf