W632GU6QB-09

Winbond W632GU6QB-09 - Hochleistungs-DDR3L-SDRAM-Speicher

Der Winbond W632GU6QB-09 ist ein hochzuverlässiger 2-Gbit-DDR3L-SDRAM-Speicherchip, der für anspruchsvolle Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, industriellen Steuerungssystemen, Medizintechnik und Telekommunikationsinfrastruktur entwickelt wurde. Diese fortschrittliche Speicherlösung bietet außergewöhnliche Leistung bei geringem Stromverbrauch und ist somit ideal für eingebettete Systeme, die sowohl Geschwindigkeit als auch Energieeffizienz erfordern.

Hauptmerkmale und Vorteile

• Speicher mit hoher Dichte: 2 Gbit Kapazität mit 128M x 16 Speicherorganisation bietet ausreichend Platz für datenintensive Anwendungen.
• Hohe Leistungsfähigkeit: Eine Taktfrequenz von 1,067 GHz mit einer Schreibzykluszeit von 15 ns und einer Zugriffszeit von 20 ns gewährleistet eine schnelle Datenverarbeitung.
• Geringer Stromverbrauch: Die DDR3L-Technologie arbeitet mit 1,283 V ~ 1,45 V und reduziert so den Energiebedarf im Vergleich zu Standard-DDR3.
• Breiter Temperaturbereich: Zuverlässiger Betrieb von 0 °C bis 95 °C (TC), geeignet für industrielle Umgebungen
• Kompaktes SMD-Gehäuse: 96-VFBGA-Gehäuse (7,5 x 13 mm) optimiert die Platinenplatznutzung.
• RoHS-konform: Umweltfreundliche Fertigung entspricht internationalen Standards

Anwendungen

Dieser Speicherchip eignet sich perfekt für hochzuverlässige eingebettete Systeme, darunter Steuergeräte für die Automobilindustrie, Avionik für die Luft- und Raumfahrt, Steuerungen für die industrielle Automatisierung, medizinische Bildgebungsgeräte, Telekommunikationsrouter und unternehmenskritische Computerplattformen, bei denen Leistung und Zuverlässigkeit von größter Bedeutung sind.

Technische Spezifikationen

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