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Winbond Electronics

W632GU6QB-11

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Winbond W632GU6QB-11 - Hochleistungs-DDR3L-SDRAM-Speicherlösung

Der W632GU6QB-11 von Winbond Electronics bietet außergewöhnliche Zuverlässigkeit und Leistung für unternehmenskritische Anwendungen. Dieser 2-Gbit-DDR3L-SDRAM-Speicherchip verfügt über eine 128M x 16-Struktur, arbeitet mit einer Taktfrequenz von 933 MHz und benötigt eine niedrige Versorgungsspannung von 1,283 V bis 1,45 V. Dadurch eignet er sich ideal für energieempfindliche Embedded-Systeme.

Hauptmerkmale und Vorteile

  • Speicher mit hoher Dichte: 2 Gbit Kapazität im kompakten 96-VFBGA (7,5 x 13 mm) SMD-Gehäuse
  • Hohe Leistungsfähigkeit: 933 MHz Taktfrequenz mit 20 ns Zugriffszeit und 15 ns Schreibzyklus
  • Geringer Stromverbrauch: DDR3L-Technologie mit einer Betriebsspannung von 1,283 V–1,45 V
  • Industrieller Temperaturbereich: Zuverlässiger Betrieb von 0 °C bis 95 °C (TC)
  • RoHS-konform: Umweltfreundlich, erfüllt globale Standards
  • Parallele Schnittstelle: Standard-SDRAM-Schnittstelle für einfache Integration

Anwendungen

Ideal für die Avionik in der Luft- und Raumfahrt, Infotainmentsysteme in der Automobilindustrie, industrielle Steuerungen, medizinische Geräte, Telekommunikationsgeräte und hochzuverlässige eingebettete Computerplattformen, die bewährte DDR3L-Speichertechnologie erfordern.

Technische Spezifikationen

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Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller Winbond Electronics
Produktserie
Verpackung Tablett |
Speichertyp Flüchtig
Speicherformat DRAM
Technologie SDRAM - DDR3L
Speichergröße 2 Gbit/s
Speicherorganisation 128 m x 16
Speicherschnittstelle Parallel
Taktfrequenz 933 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15 ns
Zugriffszeit 20 ns
Spannungsversorgung 1,283 V ~ 1,45 V
Betriebstemperatur 0 °C ~ 95 °C (TC)
Grad -
Qualifikation -
Montageart Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse 96-VFBGA
Gerätepaket des Lieferanten 96-VFBGA (7,5x13)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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