W632GU6QB-11 TR

Winbond W632GU6QB-11 TR - Hochleistungs-DDR3L-SDRAM-Speicher

Der Winbond W632GU6QB-11 TR ist ein hochzuverlässiger 2-Gbit-DDR3L-SDRAM-Speicherchip, der für unternehmenskritische Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, industriellen Steuerungssystemen und der Telekommunikationsinfrastruktur entwickelt wurde. Diese SMD-Speicherkomponente bietet herausragende Leistung mit einer Taktfrequenz von 933 MHz und arbeitet effizient in einem niedrigen Spannungsbereich von 1,283 V bis 1,45 V, wodurch sie sich ideal für energieempfindliche Embedded-Systeme eignet.

Hauptmerkmale und Vorteile

• Hochdichter Speicher: 2 Gbit Kapazität mit 128M x 16 Organisation bietet ausreichend Speicherplatz für anspruchsvolle Anwendungen.
• Hohe Leistungsfähigkeit: Die Taktfrequenz von 933 MHz bei einer Zugriffszeit von 20 ns gewährleistet eine schnelle Datenverarbeitung.
• Geringer Stromverbrauch: Die DDR3L-Technologie mit einer Versorgungsspannung von 1,283 V bis 1,45 V reduziert den Energieverbrauch.
• Breiter Betriebstemperaturbereich: 0 °C bis 95 °C (TC) – geeignet für raue Industrieumgebungen
• Kompaktes Gehäuse: Das SMD-Design mit 96 VFBGA-Bauteilen (7,5 x 13 mm) optimiert den Platz auf der Platine.
• RoHS-konform: Umweltfreundlich und erfüllt globale Regulierungsstandards.

Technische Spezifikationen

Anwendungen

Diese hochzuverlässige Speicherkomponente eignet sich perfekt für:

• Luft- und Raumfahrtsysteme sowie Avioniksysteme, die zertifizierte Komponenten benötigen
• Fahrzeugelektronik und fortschrittliche Fahrerassistenzsysteme (ADAS)
• Industrielle Automatisierungs- und Steuerungssysteme
• Medizinische Geräte und Diagnosegeräte
• Telekommunikationsinfrastruktur und Netzwerkgeräte
• Eingebettete Computerplattformen und IoT-Geräte

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