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W632GU6QB-15 TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €2,95 EUR | €2,95 EUR |
| 15+ | €2,71 EUR | €40,65 EUR |
| 25+ | €2,66 EUR | €66,50 EUR |
| 50+ | €2,51 EUR | €125,50 EUR |
| 100+ | €2,21 EUR | €221,00 EUR |
| N+ | €0,44 EUR | Price Inquiry |
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Winbond W632GU6QB-15 TR - Hochleistungs-DDR3L-SDRAM-Speicher-IC
Der Winbond W632GU6QB-15 TR ist ein hochwertiger 2-Gbit-DDR3L-SDRAM-Speicherchip, der speziell für unternehmenskritische Embedded-Systeme, industrielle Automatisierung, Telekommunikationsinfrastruktur und Anwendungen mit hohen Zuverlässigkeitsanforderungen entwickelt wurde. Dieses flüchtige DRAM-Modul bietet mit einer Taktfrequenz von 667 MHz und extrem niedrigem Stromverbrauch herausragende Leistung und eignet sich daher ideal für energieeffiziente Designs.
Hauptmerkmale und Vorteile
- Hochdichter Speicher: 2 Gbit Kapazität mit 128M x 16 Organisation bietet ausreichend Speicherplatz für anspruchsvolle Anwendungen.
- DDR3L-Niederspannungstechnologie: Betrieb mit 1,283 V bis 1,45 V für reduzierten Stromverbrauch und geringere Wärmeentwicklung
- Hohe Leistungsfähigkeit: 667 MHz Taktfrequenz mit 15 ns Schreibzykluszeit und 20 ns Zugriffszeit
- Industrieller Temperaturbereich: Ausgelegt für einen Betriebstemperaturbereich von 0 °C bis 95 °C (TC), ideal für raue Umgebungen
- Kompaktes SMD-Gehäuse: 96-VFBGA-Gehäuse (7,5 x 13 mm) optimiert den Platzbedarf auf der Platine.
- RoHS-konform: Umweltfreundlich und erfüllt globale Regulierungsstandards.
- Parallele Schnittstelle: Vereinfacht die Integration in bestehende Systemarchitekturen
Ideale Anwendungsbereiche
Dieser Speicher-IC eignet sich perfekt für die Avionik in der Luft- und Raumfahrt, Infotainmentsysteme in der Automobilindustrie, medizinische Geräte, Netzwerkgeräte, industrielle Steuerungen und alle Anwendungen, die langfristige Verfügbarkeit und bewährte Zuverlässigkeit erfordern.
Vollständige technische Spezifikationen
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| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | Winbond Electronics |
| Produktserie | |
| Verpackung | Tonband & Spule (TR) | |
| Speichertyp | Flüchtig |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - DDR3L |
| Speichergröße | 2 Gbit/s |
| Speicherorganisation | 128 m x 16 |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 667 MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15 ns |
| Zugriffszeit | 20 ns |
| Spannungsversorgung | 1,283 V ~ 1,45 V |
| Betriebstemperatur | 0 °C ~ 95 °C (TC) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 96-VFBGA |
| Gerätepaket des Lieferanten | 96-VFBGA (7,5x13) |
| RoHS |  |
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