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Winbond Electronics

W632GU6QB09I TR

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Winbond W632GU6QB09I TR - Hochzuverlässiger 2-Gbit-DDR3L-SDRAM-Speicher-IC

Der Winbond W632GU6QB09I TR ist ein hochwertiger 2-Gbit-DDR3L-SDRAM-Speicherchip, der für unternehmenskritische Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, der Industrie, der Medizintechnik und der Telekommunikation entwickelt wurde. Diese leistungsstarke, flüchtige Speicherlösung bietet außergewöhnliche Zuverlässigkeit und Geschwindigkeit mit einer 128M x 16-Organisation und einer Taktfrequenz von 1,067 GHz.

Hauptmerkmale und Vorteile

  • Hohe Leistungsfähigkeit: Die Taktfrequenz von 1,067 GHz bei einer Zugriffszeit von 20 ns gewährleistet eine schnelle Datenverarbeitung für anspruchsvolle Anwendungen.
  • Geringer Stromverbrauch: Die DDR3L-Technologie arbeitet mit einer Spannung von 1,283 V bis 1,45 V, wodurch der Energieverbrauch reduziert und gleichzeitig die Leistung erhalten bleibt.
  • Erweiterter Temperaturbereich: Der Betriebstemperaturbereich von -40 °C bis 95 °C (TC) macht es ideal für raue Industrie- und Automobilumgebungen.
  • Kompaktes SMD-Design: Das 96-VFBGA-Gehäuse (7,5 x 13) optimiert den Platzbedarf auf der Leiterplatte bei beengten Platzverhältnissen.
  • Authentisch und rückverfolgbar: Die autorisierte Vertriebspartnerschaft mit Winbond Electronics gewährleistet Originalkomponenten mit vollständiger Dokumentation und Rückverfolgbarkeit.

Ideale Anwendungsbereiche

Dieser DDR3L SDRAM eignet sich perfekt für:

  • Avionik und Flugsteuerungssysteme für die Luft- und Raumfahrt
  • Automotive ADAS- und Infotainment-Plattformen
  • Industrielle Automatisierungs- und Steuerungstechnik
  • Medizinische Diagnose- und Bildgebungsgeräte
  • Telekommunikationsinfrastruktur und Netzwerkgeräte
  • Hochzuverlässige eingebettete Computersysteme

Vollständige technische Spezifikationen

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Verwandte Ressourcen

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Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller Winbond Electronics
Produktserie
Verpackung Tonband & Spule (TR) |
Speichertyp Flüchtig
Speicherformat DRAM
Technologie SDRAM - DDR3L
Speichergröße 2 Gbit/s
Speicherorganisation 128 m x 16
Speicherschnittstelle Parallel
Taktfrequenz 1,067 GHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15 ns
Zugriffszeit 20 ns
Spannungsversorgung 1,283 V ~ 1,45 V
Betriebstemperatur -40 °C ~ 95 °C (TC)
Grad -
Qualifikation -
Montageart Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse 96-VFBGA
Gerätepaket des Lieferanten 96-VFBGA (7,5x13)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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