W632GU6QB12I
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €3,95 EUR | €3,95 EUR |
| 15+ | €3,63 EUR | €54,45 EUR |
| 25+ | €3,56 EUR | €89,00 EUR |
| 50+ | €3,36 EUR | €168,00 EUR |
| 100+ | €2,96 EUR | €296,00 EUR |
| N+ | €0,59 EUR | Price Inquiry |
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Winbond W632GU6QB12I - Hochleistungs-DDR3L-SDRAM-Speicher-IC
Der W632GU6QB12I von Winbond Electronics ist ein hochzuverlässiger 2-Gbit-DDR3L-SDRAM-Speicherchip, der für anspruchsvolle Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, der Industrie, der Medizintechnik und der Telekommunikation entwickelt wurde. Diese fortschrittliche Speicherlösung bietet außergewöhnliche Leistung bei geringem Stromverbrauch und ist somit ideal für unternehmenskritische Systeme geeignet.
Hauptmerkmale und Vorteile
- Hohe Leistungsfähigkeit: Eine Taktfrequenz von 800 MHz bei einer Zugriffszeit von 20 ns gewährleistet eine schnelle Datenverarbeitung.
- Betrieb mit geringem Stromverbrauch: Die DDR3L-Technologie mit einer Versorgungsspannung von 1,283 V bis 1,45 V reduziert den Energieverbrauch.
- Industrielle Zuverlässigkeit: Erweiterter Betriebstemperaturbereich von -40 °C bis 95 °C (TC) für raue Umgebungen
- Flexible Speicherorganisation: 128M x 16-Konfiguration, optimiert für Anwendungen mit paralleler Schnittstelle
- Kompaktes SMD-Design: Das 96-VFBGA-Gehäuse (7,5 x 13) spart wertvollen Platz auf der Platine.
- RoHS-konform: Umweltfreundliche Fertigung erfüllt globale Standards
Technische Spezifikationen
Anwendungen
Der W632GU6QB12I ist für Anwendungen mit hohen Zuverlässigkeitsanforderungen konzipiert, darunter:
- Luft- und Raumfahrtsysteme sowie Verteidigungssysteme
- Automobilelektronik und Fahrerassistenzsysteme
- Industrielle Automatisierung und Steuerung
- Medizinische Diagnosegeräte
- Telekommunikationsinfrastruktur
- Eingebettete Computerplattformen
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| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | Winbond Electronics |
| Produktserie | |
| Verpackung | Tablett | |
| Speichertyp | Flüchtig |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - DDR3L |
| Speichergröße | 2 Gbit/s |
| Speicherorganisation | 128 m x 16 |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 800 MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15 ns |
| Zugriffszeit | 20 ns |
| Spannungsversorgung | 1,283 V ~ 1,45 V |
| Betriebstemperatur | -40 °C ~ 95 °C (TC) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 96-VFBGA |
| Gerätepaket des Lieferanten | 96-VFBGA (7,5x13) |
| RoHS |
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