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W632GU8QB-09
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €2,95 EUR | €2,95 EUR |
| 15+ | €2,71 EUR | €40,65 EUR |
| 25+ | €2,66 EUR | €66,50 EUR |
| 50+ | €2,51 EUR | €125,50 EUR |
| 100+ | €2,21 EUR | €221,00 EUR |
| N+ | €0,44 EUR | Price Inquiry |
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Winbond W632GU8QB-09 - Hochleistungs-DDR3L-SDRAM-Speicher-IC
Der W632GU8QB-09 von Winbond Electronics ist ein leistungsstarker 2-Gbit-DDR3L-SDRAM-Speicherchip, der für anspruchsvolle Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, der Industrie, der Medizintechnik und der Telekommunikation entwickelt wurde. Diese flüchtige Speicherlösung bietet außergewöhnliche Zuverlässigkeit und Leistung in einem kompakten 78-VFBGA-SMD-Gehäuse.
Hauptmerkmale und Vorteile
- Hochdichter Speicher: 2 Gbit Kapazität mit 256M x 8 Organisation bietet ausreichend Speicherplatz für eingebettete Systeme.
- Hohe Leistungsfähigkeit: Eine Taktfrequenz von 1,067 GHz bei einer Zugriffszeit von 20 ns gewährleistet einen schnellen Datenabruf.
- Geringer Stromverbrauch: Die DDR3L-Technologie arbeitet mit 1,283 V ~ 1,45 V und reduziert so den Energiebedarf.
- Breiter Temperaturbereich: Zuverlässiger Betrieb von 0 °C bis 95 °C (TC), geeignet für raue Umgebungen
- Industriestandard-Schnittstelle: Parallele Speicherschnittstelle für nahtlose Integration
- Kompakte Bauform: Das 78-VFBGA-Gehäuse (8x10,5) optimiert den Platz auf der Platine.
- RoHS-konform: Umweltfreundliche Fertigung erfüllt globale Standards
Technische Spezifikationen
Anwendungen
Der W632GU8QB-09 ist ideal für unternehmenskritische eingebettete Systeme, die hochzuverlässige Speicherlösungen erfordern:
- Avionik und Flugsteuerungssysteme für die Luft- und Raumfahrt
- Infotainmentsysteme und Fahrerassistenzsysteme (ADAS) im Automobilbereich
- Industrielle Automatisierungs- und Steuerungstechnik
- Medizinische Diagnose- und Bildgebungsgeräte
- Telekommunikationsinfrastruktur und Netzwerkgeräte
- Hochleistungsrechnen und Datenverarbeitung
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| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | Winbond Electronics |
| Produktserie | |
| Verpackung | Tablett | |
| Speichertyp | Flüchtig |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - DDR3L |
| Speichergröße | 2 Gbit/s |
| Speicherorganisation | 256 m x 8 |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 1,067 GHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15 ns |
| Zugriffszeit | 20 ns |
| Spannungsversorgung | 1,283 V ~ 1,45 V |
| Betriebstemperatur | 0 °C ~ 95 °C (TC) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 78-VFBGA |
| Gerätepaket des Lieferanten | 78-VFBGA (8x10,5) |
| RoHS |  |
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