W632GU8QB-11
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €2,95 EUR | €2,95 EUR |
| 15+ | €2,71 EUR | €40,65 EUR |
| 25+ | €2,66 EUR | €66,50 EUR |
| 50+ | €2,51 EUR | €125,50 EUR |
| 100+ | €2,21 EUR | €221,00 EUR |
| N+ | €0,44 EUR | Price Inquiry |
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Produktübersicht
Der W632GU8QB-11 ist ein leistungsstarker 2-Gbit-DDR3L-SDRAM-Speicherchip von Winbond Electronics, der für unternehmenskritische Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, der industriellen Steuerungstechnik und der Telekommunikation entwickelt wurde. Diese industrietaugliche Speicherkomponente bietet außergewöhnliche Zuverlässigkeit mit einer 256M x 8-Organisation und einer Taktfrequenz von 933 MHz.
Hauptmerkmale und Vorteile
- Hohe Geschwindigkeit: Die Taktfrequenz von 933 MHz mit einer Schreibzykluszeit von 15 ns und einer Zugriffszeit von 20 ns gewährleistet eine schnelle Datenverarbeitung für anspruchsvolle eingebettete Anwendungen.
- Geringer Stromverbrauch: Die DDR3L-Technologie arbeitet mit 1,283 V bis 1,45 V, wodurch der Stromverbrauch gesenkt und gleichzeitig die Leistung erhalten bleibt.
- Erweiterter Temperaturbereich: Zuverlässiger Betrieb von 0 °C bis 95 °C (TC), ideal für raue Industrieumgebungen
- Kompaktes SMD-Design: Das 78-VFBGA-Gehäuse (8 x 10,5 mm) optimiert den Platzbedarf auf der Leiterplatte bei beengten Platzverhältnissen.
- RoHS-konform: Umweltfreundliches Design erfüllt internationale Standards
Technische Spezifikationen
Anwendungen
Dieser Speicher-IC wurde speziell für Anwendungen mit hohen Zuverlässigkeitsanforderungen entwickelt, darunter Luft- und Raumfahrtsysteme, Steuergeräte und Fahrerassistenzsysteme in der Automobilindustrie, industrielle Automatisierungssteuerungen, medizinische Diagnosegeräte, Telekommunikationsinfrastruktur und eingebettete Computerplattformen, die stabile Langzeitspeicherlösungen erfordern.
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| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | Winbond Electronics |
| Produktserie | |
| Verpackung | Tablett | |
| Speichertyp | Flüchtig |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - DDR3L |
| Speichergröße | 2 Gbit/s |
| Speicherorganisation | 256 m x 8 |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 933 MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15 ns |
| Zugriffszeit | 20 ns |
| Spannungsversorgung | 1,283 V ~ 1,45 V |
| Betriebstemperatur | 0 °C ~ 95 °C (TC) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 78-VFBGA |
| Gerätepaket des Lieferanten | 78-VFBGA (8x10,5) |
| RoHS |
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