W632GU8QB-12

Winbond W632GU8QB-12 DDR3L SDRAM Speicher-IC

Der W632GU8QB-12 von Winbond Electronics ist ein leistungsstarker 2-Gbit-DDR3L-SDRAM-Speicherchip, der für unternehmenskritische Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, der industriellen Steuerungstechnik, der Medizintechnik und der Telekommunikation entwickelt wurde. Diese flüchtige DRAM-Lösung bietet außergewöhnliche Zuverlässigkeit und Leistung in anspruchsvollen Embedded-Umgebungen.

Hauptmerkmale und Vorteile

• Hochdichter Speicher: 2 Gbit Kapazität mit 256M x 8 Organisation bietet ausreichend Speicherplatz für komplexe eingebettete Anwendungen.
• Hohe Leistungsfähigkeit: Eine Taktfrequenz von 800 MHz mit einer Schreibzykluszeit von 15 ns und einer Zugriffszeit von 20 ns gewährleistet eine schnelle Datenverarbeitung.
• Geringer Stromverbrauch: Die DDR3L-Technologie arbeitet mit einer Spannung von 1,283 V bis 1,45 V und reduziert so den Strombedarf für energieeffiziente Designs.
• Breiter Betriebstemperaturbereich: Funktioniert zuverlässig von 0 °C bis 95 °C (TC) und ist somit ideal für industrielle und automobile Umgebungen geeignet.
• Industriestandard-Schnittstelle: Parallele Speicherschnittstelle mit 78-VFBGA (8x10,5) SMD-Gehäuse für einfache Integration
• RoHS-konform: Umweltfreundliches Design erfüllt internationale Standards

Technische Spezifikationen

Anwendungen

Der W632GU8QB-12 wurde speziell für Anwendungen mit hohen Zuverlässigkeitsanforderungen entwickelt, darunter:

• Luft- und Raumfahrtsysteme sowie Verteidigungssysteme, die eine nachgewiesene Langlebigkeit erfordern
• Fahrzeugelektronik und fortschrittliche Fahrerassistenzsysteme (ADAS)
• Industrielle Automatisierungs- und Steuerungstechnik
• Medizinische Diagnose- und Überwachungsgeräte
• Telekommunikationsinfrastruktur und Netzwerkgeräte
• Eingebettete Computerplattformen und IoT-Geräte

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