W632GU8QB-15
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €2,95 EUR | €2,95 EUR |
| 15+ | €2,71 EUR | €40,65 EUR |
| 25+ | €2,66 EUR | €66,50 EUR |
| 50+ | €2,51 EUR | €125,50 EUR |
| 100+ | €2,21 EUR | €221,00 EUR |
| N+ | €0,44 EUR | Price Inquiry |
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W632GU8QB-15 – Hochzuverlässiger 2-Gbit-DDR3L-SDRAM-Speicherchip
Der W632GU8QB-15 von Winbond Electronics ist ein leistungsstarker 2-Gbit-DDR3L-SDRAM-Speicherchip, der für unternehmenskritische Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, der Industrie, der Medizintechnik und der Telekommunikation entwickelt wurde. Diese flüchtige DRAM-Lösung bietet außergewöhnliche Zuverlässigkeit und Leistung in anspruchsvollen Embedded-Systemumgebungen.
Hauptmerkmale und Vorteile
- Hochdichter Speicher: 2 Gbit Kapazität mit 256M x 8 Organisation bietet ausreichend Speicherplatz für komplexe eingebettete Anwendungen.
- Hohe Leistungsfähigkeit: Eine Taktfrequenz von 667 MHz mit einer Schreibzykluszeit von 15 ns und einer Zugriffszeit von 20 ns gewährleistet eine schnelle Datenverarbeitung.
- Geringer Stromverbrauch: Die DDR3L-Technologie arbeitet mit einer Spannung von 1,283 V bis 1,45 V, wodurch der Energieverbrauch reduziert und gleichzeitig die Leistung erhalten bleibt.
- Breiter Temperaturbereich: Zuverlässiger Betrieb von 0 °C bis 95 °C (TC), ideal für Industrie- und Automobilumgebungen
- Kompaktes SMD-Design: Das 78-VFBGA-Gehäuse (8x10,5) optimiert den Platzbedarf auf der Leiterplatte bei beengten Platzverhältnissen.
- RoHS-konform: Umweltfreundliche Fertigung erfüllt globale Regulierungsstandards.
Ideale Anwendungsbereiche
Dieser Speicherchip eignet sich hervorragend für hochzuverlässige eingebettete Systeme wie Kfz-Steuergeräte, industrielle Automatisierungssteuerungen, medizinische Diagnosegeräte, Telekommunikationsinfrastruktur, Avionik für die Luft- und Raumfahrt sowie missionskritische Computerplattformen, bei denen Datenintegrität und gleichbleibende Leistung von größter Bedeutung sind.
Technische Spezifikationen
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| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | Winbond Electronics |
| Produktserie | |
| Verpackung | Tablett | |
| Speichertyp | Flüchtig |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - DDR3L |
| Speichergröße | 2 Gbit/s |
| Speicherorganisation | 256 m x 8 |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 667 MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15 ns |
| Zugriffszeit | 20 ns |
| Spannungsversorgung | 1,283 V ~ 1,45 V |
| Betriebstemperatur | 0 °C ~ 95 °C (TC) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 78-VFBGA |
| Gerätepaket des Lieferanten | 78-VFBGA (8x10,5) |
| RoHS |
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