W632GU8QB-15 TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €2,95 EUR | €2,95 EUR |
| 15+ | €2,71 EUR | €40,65 EUR |
| 25+ | €2,66 EUR | €66,50 EUR |
| 50+ | €2,51 EUR | €125,50 EUR |
| 100+ | €2,21 EUR | €221,00 EUR |
| N+ | €0,44 EUR | Price Inquiry |
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Winbond W632GU8QB-15 TR - Hochleistungs-DDR3L-SDRAM-Speicher-IC
Der Winbond W632GU8QB-15 TR ist ein hochwertiger 2-Gbit-DDR3L-SDRAM-Speicherchip, der speziell für unternehmenskritische Embedded-Systeme und industrielle Anwendungen entwickelt wurde. Diese hochzuverlässige Speicherlösung bietet außergewöhnliche Leistung mit einer Taktfrequenz von 667 MHz und extrem niedrigem Stromverbrauch und eignet sich daher ideal für die Bereiche Luft- und Raumfahrt, Automobilindustrie, Medizintechnik und Telekommunikation.
Hauptmerkmale und Vorteile
- Speicher mit hoher Dichte: 2 Gbit Kapazität mit 256M x 8 Organisation bietet ausreichend Speicherplatz für anspruchsvolle Anwendungen.
- Stromsparende DDR3L-Technologie: Die Betriebsspannung von 1,283 V bis 1,45 V reduziert den Stromverbrauch bei gleichbleibender Leistung.
- Schnelle Zugriffszeiten: 20 ns Zugriffszeit und 15 ns Schreibzykluszeit gewährleisten eine schnelle Datenverarbeitung.
- Industrieller Temperaturbereich: Zuverlässiger Betrieb von 0 °C bis 95 °C (TC) für raue Umgebungen
- Oberflächenmontage-Design: 78-VFBGA-Gehäuse (8x10,5 mm), optimiert für platzsparende Leiterplattenlayouts
- RoHS-konform: Umweltfreundlich und erfüllt globale regulatorische Standards.
Technische Spezifikationen
Anwendungen
Dieser DDR3L SDRAM eignet sich perfekt für:
- Industrielle Automatisierungs- und Steuerungssysteme
- Automotive Infotainment- und ADAS-Plattformen
- Medizinische Bildgebungs- und Diagnosegeräte
- Telekommunikationsinfrastruktur
- Luft- und Raumfahrtsysteme sowie Verteidigungssysteme
- Hochzuverlässige eingebettete Computer
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| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | Winbond Electronics |
| Produktserie | |
| Verpackung | Tonband & Spule (TR) | |
| Speichertyp | Flüchtig |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - DDR3L |
| Speichergröße | 2 Gbit/s |
| Speicherorganisation | 256 m x 8 |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 667 MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15 ns |
| Zugriffszeit | 20 ns |
| Spannungsversorgung | 1,283 V ~ 1,45 V |
| Betriebstemperatur | 0 °C ~ 95 °C (TC) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 78-VFBGA |
| Gerätepaket des Lieferanten | 78-VFBGA (8x10,5) |
| RoHS |
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