W632GU8QB09I TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €2,95 EUR | €2,95 EUR |
| 15+ | €2,71 EUR | €40,65 EUR |
| 25+ | €2,66 EUR | €66,50 EUR |
| 50+ | €2,51 EUR | €125,50 EUR |
| 100+ | €2,21 EUR | €221,00 EUR |
| N+ | €0,44 EUR | Price Inquiry |
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Winbond W632GU8QB09I TR - Hochleistungs-DDR3L-SDRAM-Speicher-IC
Der Winbond W632GU8QB09I TR ist ein hochzuverlässiger 2-Gbit-DDR3L-SDRAM-Speicherchip, der für unternehmenskritische Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, der Industrie und der Telekommunikation entwickelt wurde. Diese SMD-Speicherlösung bietet herausragende Leistung mit einer Taktfrequenz von 1,067 GHz und arbeitet effizient in einem erweiterten Temperaturbereich von -40 °C bis 95 °C.
Hauptmerkmale und Vorteile
- Hochdichter Speicher: 2 Gbit Kapazität mit 256M x 8 Organisation bietet ausreichend Speicherplatz für anspruchsvolle eingebettete Anwendungen.
- Stromsparende DDR3L-Technologie: Die Betriebsspannung von 1,283 V bis 1,45 V reduziert den Stromverbrauch bei gleichbleibender Leistung.
- Schnelle Zugriffszeiten: 20 ns Zugriffszeit und 15 ns Schreibzyklus gewährleisten eine schnelle Datenverarbeitung.
- Erweiterter Temperaturbereich: Der Betrieb bei -40 °C bis 95 °C macht es ideal für raue Industrieumgebungen.
- Kompaktes 78-VFBGA-Gehäuse: Platzsparendes 8x10,5-mm-Oberflächenmontagedesign für hochdichte Leiterplattenlayouts
- RoHS-konform: Umweltfreundlich und erfüllt globale regulatorische Standards.
Technische Spezifikationen
Anwendungen
Der W632GU8QB09I TR ist für Anwendungen mit hohen Zuverlässigkeitsanforderungen konzipiert, darunter:
- Luft- und Raumfahrtsysteme sowie Verteidigungssysteme
- Automobilelektronik und ADAS
- Industrielle Automatisierungs- und Steuerungssysteme
- Medizinische Geräte und Diagnosegeräte
- Telekommunikationsinfrastruktur
- Eingebettete Computerplattformen
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| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | Winbond Electronics |
| Produktserie | |
| Verpackung | Tonband & Spule (TR) | |
| Speichertyp | Flüchtig |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - DDR3L |
| Speichergröße | 2 Gbit/s |
| Speicherorganisation | 256 m x 8 |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 1,067 GHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15 ns |
| Zugriffszeit | 20 ns |
| Spannungsversorgung | 1,283 V ~ 1,45 V |
| Betriebstemperatur | -40 °C ~ 95 °C (TC) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 78-VFBGA |
| Gerätepaket des Lieferanten | 78-VFBGA (8x10,5) |
| RoHS |
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