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W632GU8QB11I
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €3,95 EUR | €3,95 EUR |
| 15+ | €3,63 EUR | €54,45 EUR |
| 25+ | €3,56 EUR | €89,00 EUR |
| 50+ | €3,36 EUR | €168,00 EUR |
| 100+ | €2,96 EUR | €296,00 EUR |
| N+ | €0,59 EUR | Price Inquiry |
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Winbond W632GU8QB11I - Hochleistungs-DDR3L-SDRAM-Speicher
Der Winbond W632GU8QB11I ist ein hochwertiger 2-Gbit-DDR3L-SDRAM-Speicherchip, der speziell für anspruchsvolle Industrie- und Embedded-Anwendungen entwickelt wurde. Diese hochzuverlässige Speicherlösung bietet außergewöhnliche Leistung mit einer Taktfrequenz von 933 MHz und extrem niedrigem Stromverbrauch und eignet sich daher ideal für die Bereiche Luft- und Raumfahrt, Automobilindustrie, Telekommunikation und industrielle Steuerungssysteme.
Hauptmerkmale und Vorteile
- Hohe Leistungsfähigkeit: Eine Taktfrequenz von 933 MHz bei einer Schreibzykluszeit von 15 ns gewährleistet eine schnelle Datenverarbeitung.
- Industrielle Zuverlässigkeit: Erweiterter Betriebstemperaturbereich (-40 °C bis 95 °C) für raue Umgebungen
- Geringer Stromverbrauch: Die DDR3L-Technologie mit einer Versorgungsspannung von 1,283 V bis 1,45 V reduziert die Energiekosten.
- Flexible Organisation: 256M x 8 Speicherarchitektur, optimiert für Anwendungen mit paralleler Schnittstelle.
- Kompaktes Design: Platzsparendes 78-VFBGA-Gehäuse (8 x 10,5 mm) für Oberflächenmontage
- RoHS-konform: Umweltfreundliche Fertigung erfüllt globale Standards
Technische Spezifikationen
Anwendungen
Dieser vielseitige Speicherchip eignet sich perfekt für:
- Industrielle Automatisierungs- und Steuerungssysteme
- Automobilelektronik und Infotainment
- Ausrüstung für die Telekommunikationsinfrastruktur
- Medizinprodukte und Diagnosegeräte
- Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt sowie im Verteidigungsbereich
- Hochzuverlässige eingebettete Computerplattformen
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| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | Winbond Electronics |
| Produktserie | |
| Verpackung | Tablett | |
| Speichertyp | Flüchtig |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - DDR3L |
| Speichergröße | 2 Gbit/s |
| Speicherorganisation | 256 m x 8 |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 933 MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15 ns |
| Zugriffszeit | 20 ns |
| Spannungsversorgung | 1,283 V ~ 1,45 V |
| Betriebstemperatur | -40 °C ~ 95 °C (TC) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 78-VFBGA |
| Gerätepaket des Lieferanten | 78-VFBGA (8x10,5) |
| RoHS |  |
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