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Winbond Electronics

W632GU8QB12I

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Winbond W632GU8QB12I - Hochleistungs-DDR3L-SDRAM-Speicher-IC

Der Winbond W632GU8QB12I ist ein hochwertiger 2-Gigabit-DDR3L-SDRAM-Speicherchip, der für unternehmenskritische Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, der Industrieautomation, der Medizintechnik und der Telekommunikationsinfrastruktur entwickelt wurde. Diese hochzuverlässige Speicherlösung bietet außergewöhnliche Leistung mit einer Taktfrequenz von 800 MHz und extrem niedrigem Stromverbrauch und ist damit ideal für anspruchsvolle Embedded-Systeme und industrielle Computerplattformen geeignet.

Hauptmerkmale und Vorteile

  • Speicher mit hoher Dichte: 2 Gbit Kapazität mit effizienter 256M x 8 Speicherorganisation
  • Hohe Leistungsfähigkeit: 800 MHz Taktfrequenz mit 20 ns Zugriffszeit und 15 ns Schreibzyklus
  • Energiesparendes Design: DDR3L-Technologie mit einer Versorgungsspannung von 1,283 V bis 1,45 V für einen energieeffizienten Betrieb
  • Industrieller Temperaturbereich: Zuverlässiger Betrieb von -40 °C bis 95 °C (TC) für raue Umgebungen
  • Kompakte Oberflächenmontage: Platzsparendes 78-VFBGA-Gehäuse (8x10,5 mm) für hochdichte Leiterplattenlayouts
  • RoHS-konform: Umweltfreundliche Fertigung erfüllt globale Standards

Technische Spezifikationen

Anwendungen und Anwendungsfälle

Der W632GU8QB12I ist speziell für Anwendungen mit hohen Zuverlässigkeitsanforderungen konzipiert, darunter:

  • Luft- und Raumfahrtsysteme sowie Verteidigungssysteme, die einen Betrieb über einen erweiterten Temperaturbereich erfordern
  • Automotive Infotainment-, ADAS- und Antriebsstrang-Steuergeräte
  • Steuerungen für die industrielle Automatisierung und speicherprogrammierbare Steuerungen (SPS)
  • Medizinische Bildgebungsgeräte und Diagnoseinstrumente
  • Telekommunikations-Basisstationen und Netzwerkinfrastruktur
  • Eingebettete Computerplattformen und Einplatinencomputer

Warum Winbond-Speicherlösungen wählen?

Winbond Electronics ist ein weltweit anerkannter Marktführer für Halbleiterspeicherlösungen und steht seit über drei Jahrzehnten für bewährte Zuverlässigkeit und Leistung. Der W632GU8QB12I repräsentiert die Spitze der DDR3L-SDRAM-Technologie und vereint hohe Geschwindigkeit mit industrieller Robustheit und Energieeffizienz.

Verwandte Produkte und Ressourcen

Entdecken Sie unsere umfassende Auswahl an Speicherlösungen, darunter DRAM-, SRAM-, Flash- und EEPROM-Bausteine ​​für Ihr nächstes Projekt. Besuchen Sie unsere Homepage , um unser gesamtes Sortiment an hochzuverlässigen elektronischen Komponenten kennenzulernen, oder informieren Sie sich in unserem technischen Blog über aktuelle Brancheneinblicke, Anwendungsberichte und Designressourcen.

Benötigen Sie technische Unterstützung oder Informationen zu Mengenrabatten? Kontaktieren Sie noch heute unser Entwicklungsteam, um Ihre spezifischen Speicheranforderungen zu besprechen und fachkundige Beratung bei der Auswahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung zu erhalten.

Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller Winbond Electronics
Produktserie
Verpackung Tablett |
Speichertyp Flüchtig
Speicherformat DRAM
Technologie SDRAM - DDR3L
Speichergröße 2 Gbit/s
Speicherorganisation 256 m x 8
Speicherschnittstelle Parallel
Taktfrequenz 800 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15 ns
Zugriffszeit 20 ns
Spannungsversorgung 1,283 V ~ 1,45 V
Betriebstemperatur -40 °C ~ 95 °C (TC)
Grad -
Qualifikation -
Montageart Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse 78-VFBGA
Gerätepaket des Lieferanten 78-VFBGA (8x10,5)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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