W632GU8QB15I
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €2,95 EUR | €2,95 EUR |
| 15+ | €2,71 EUR | €40,65 EUR |
| 25+ | €2,66 EUR | €66,50 EUR |
| 50+ | €2,51 EUR | €125,50 EUR |
| 100+ | €2,21 EUR | €221,00 EUR |
| N+ | €0,44 EUR | Price Inquiry |
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Winbond W632GU8QB15I – Hochzuverlässiger 2-Gbit-DDR3L-SDRAM-Speicher-IC
Der Winbond W632GU8QB15I ist ein leistungsstarker 2-Gbit-DDR3L-SDRAM-Speicherchip, der für unternehmenskritische Anwendungen mit Bedarf an zuverlässigen und energieeffizienten Speicherlösungen entwickelt wurde. Mit seiner 256M x 8-Struktur und einer Taktfrequenz von 667 MHz bietet dieser IC herausragende Leistung für Industrie-, Automobil-, Medizin- und Telekommunikationssysteme.
Hauptmerkmale und Vorteile
- Geringer Stromverbrauch: Die DDR3L-Technologie mit einer Versorgungsspannung von 1,283 V bis 1,45 V reduziert den Energieverbrauch bei gleichzeitig hoher Leistung.
- Industrieller Temperaturbereich: Zuverlässiger Betrieb von -40 °C bis 95 °C (TC), ideal für raue Umgebungsbedingungen
- Hohe Leistungsfähigkeit: 667 MHz Taktfrequenz mit 15 ns Schreibzykluszeit und 20 ns Zugriffszeit
- Kompaktes SMD-Gehäuse: Das 78-VFBGA-Gehäuse (8 x 10,5 mm) optimiert den Platzbedarf auf der Leiterplatte bei beengten Platzverhältnissen.
- RoHS-konform: Umweltfreundlich und erfüllt globale Regulierungsstandards.
Anwendungen
Dieser Speicher-IC eignet sich ideal für die Avionik in der Luft- und Raumfahrt, Infotainment- und ADAS-Systeme in der Automobilindustrie, industrielle Automatisierungssteuerungen, medizinische Bildgebungsgeräte, Telekommunikationsinfrastruktur und eingebettete Computerplattformen, die einen hochzuverlässigen Speicher mit erweitertem Temperaturbetrieb erfordern.
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Technische Spezifikationen
Verwandte Produkte und Ressourcen
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| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | Winbond Electronics |
| Produktserie | |
| Verpackung | Tablett | |
| Speichertyp | Flüchtig |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - DDR3L |
| Speichergröße | 2 Gbit/s |
| Speicherorganisation | 256 m x 8 |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 667 MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15 ns |
| Zugriffszeit | 20 ns |
| Spannungsversorgung | 1,283 V ~ 1,45 V |
| Betriebstemperatur | -40 °C ~ 95 °C (TC) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 78-VFBGA |
| Gerätepaket des Lieferanten | 78-VFBGA (8x10,5) |
| RoHS |
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