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W632GU8RB-09
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €2,95 EUR | €2,95 EUR |
| 15+ | €2,71 EUR | €40,65 EUR |
| 25+ | €2,66 EUR | €66,50 EUR |
| 50+ | €2,51 EUR | €125,50 EUR |
| 100+ | €2,21 EUR | €221,00 EUR |
| N+ | €0,44 EUR | Price Inquiry |
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Winbond W632GU8RB-09 - Hochleistungs-DDR3-SDRAM-Speicher-IC
Der W632GU8RB-09 von Winbond Electronics ist ein hochwertiger 2-Gbit-DDR3-SDRAM-Speicherchip, der speziell für unternehmenskritische Embedded-Systeme mit höchsten Anforderungen an Zuverlässigkeit und Leistung entwickelt wurde. Diese flüchtige Speicherlösung bietet robuste Datenspeicherkapazität mit einer 256M x 8-Organisation und eignet sich daher ideal für Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, der industriellen Steuerungstechnik, der Medizintechnik und der Telekommunikation.
Hauptmerkmale und Vorteile
- Hohe Leistungsfähigkeit: Eine Taktfrequenz von 1,066 GHz bei einer Zugriffszeit von 20 ns gewährleistet schnellen Datenabruf und -verarbeitung.
- Optimierte Speicherarchitektur: 2 Gbit Kapazität mit 256M x 8 Organisation bietet flexible Integrationsmöglichkeiten
- Breiter Betriebsbereich: Funktioniert zuverlässig von 0 °C bis 95 °C (TC) und ist somit für anspruchsvolle Industrieumgebungen geeignet.
- Kompaktes SMD-Design: Das 78-VFBGA-Gehäuse (8x10,5) minimiert die Leiterplattenfläche und maximiert gleichzeitig die thermische Leistung.
- Branchenkonformität: RoHS-zertifiziert für Umweltsicherheit und Einhaltung gesetzlicher Vorschriften
- Parallele Schnittstelle: Vereinfachte Integration in bestehende Systemarchitekturen
Technische Spezifikationen
Anwendungen
Der W632GU8RB-09 wurde für Anwendungen mit hohen Zuverlässigkeitsanforderungen entwickelt, darunter eingebettete Computersysteme, industrielle Automatisierungssteuerungen, Netzwerkgeräte, Automobilelektronik, Medizintechnik und Avionik für die Luft- und Raumfahrt. Sein breiter Betriebstemperaturbereich und seine robuste Bauweise gewährleisten eine konstante Leistung auch in anspruchsvollen Umgebungen, in denen Ausfälle inakzeptabel sind.
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| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | Winbond Electronics |
| Produktserie | |
| Verpackung | Röhre | |
| Speichertyp | Flüchtig |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - DDR3 |
| Speichergröße | 2 Gbit/s |
| Speicherorganisation | 256 m x 8 |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 1,066 GHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15 ns |
| Zugriffszeit | 20 ns |
| Spannungsversorgung | 1,283 V ~ 1,45 V |
| Betriebstemperatur | 0 °C ~ 95 °C (TC) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 78-VFBGA |
| Gerätepaket des Lieferanten | 78-VFBGA (8x10,5) |
| RoHS |  |
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