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Winbond Electronics

W632GU8RB-11

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Winbond W632GU8RB-11 DDR3 SDRAM Speicher-IC – Hochleistungslösung mit 2 Gbit

Der Winbond W632GU8RB-11 ist ein leistungsstarker DDR3-SDRAM-Speicherchip, der für unternehmenskritische Embedded-Systeme und industrielle Anwendungen entwickelt wurde. Dieser flüchtige 2-Gbit-Speicher verfügt über eine 256M x 8-Struktur mit paralleler Schnittstelle und bietet zuverlässige Leistung bei einer Taktfrequenz von 933 MHz.

Hauptmerkmale und Vorteile

  • Speicher mit hoher Dichte: 2 Gbit Kapazität in einem kompakten 78-VFBGA (8x10,5 mm) SMD-Gehäuse
  • Hohe Leistungsfähigkeit: 933 MHz Taktfrequenz mit 20 ns Zugriffszeit und 15 ns Schreibzykluszeit
  • Breiter Betriebstemperaturbereich: Funktioniert zuverlässig von 0 °C bis 95 °C (TC) für industrielle Umgebungen
  • Flexible Stromversorgung: Betriebsspannungsbereich 1,283 V bis 1,45 V
  • Industriestandard: DDR3-SDRAM-Technologie mit paralleler Speicherschnittstelle
  • RoHS-konform: Umweltfreundliche Fertigung erfüllt globale Standards

Technische Spezifikationen

Anwendungen

Der W632GU8RB-11 eignet sich ideal für die Bereiche Luft- und Raumfahrt, Automobilindustrie, industrielle Steuerungssysteme, Medizintechnik, Telekommunikationsausrüstung und andere eingebettete Anwendungen, die hochzuverlässige Speicherlösungen mit erweiterten Temperaturbereichen und langer Lebensdauer erfordern.

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Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller Winbond Electronics
Produktserie
Verpackung Röhre |
Speichertyp Flüchtig
Speicherformat DRAM
Technologie SDRAM - DDR3
Speichergröße 2 Gbit/s
Speicherorganisation 256 m x 8
Speicherschnittstelle Parallel
Taktfrequenz 933 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15 ns
Zugriffszeit 20 ns
Spannungsversorgung 1,283 V ~ 1,45 V
Betriebstemperatur 0 °C ~ 95 °C (TC)
Grad -
Qualifikation -
Montageart Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse 78-VFBGA
Gerätepaket des Lieferanten 78-VFBGA (8x10,5)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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