W632GU8RB-11 TR

Winbond W632GU8RB-11 TR - Hochleistungs-DDR3-SDRAM-Speicher-IC

Der W632GU8RB-11 TR von Winbond Electronics ist ein hochwertiger 2-Gbit-DDR3-SDRAM-Speicherchip, der speziell für eingebettete Systeme, industrielle Automatisierung und Anwendungen mit hohen Zuverlässigkeitsanforderungen entwickelt wurde. Dieses Originalbauteil bietet herausragende Leistung bei geringem Stromverbrauch (1,35 V Betriebsspannung) und eignet sich daher ideal für energieeffiziente Designs in der Telekommunikation, Automobilelektronik, Netzwerktechnik und industriellen Steuerungstechnik.

Hauptmerkmale und Vorteile

• Hochdichter Speicher: 2 Gbit Kapazität, organisiert als 256M x 8 für flexible Systemintegration
• Stromsparende DDR3-Technologie: Die Versorgungsspannung von 1,35 V reduziert den Stromverbrauch im Vergleich zu Standard-DDR3 um bis zu 15 %.
• Schnelle Zugriffsleistung: 20 ns Zugriffszeit und 15 ns Schreibzykluszeit gewährleisten einen reaktionsschnellen Systembetrieb.
• Industrieller Temperaturbereich: Zuverlässiger Betrieb von 0 °C bis 95 °C (TC) für anspruchsvolle Umgebungen
• Platzsparendes Gehäuse: Das kompakte 78-VFBGA-Gehäuse (8 x 10,5 mm) für die Oberflächenmontage optimiert den Platzbedarf auf der Leiterplatte.
• RoHS-konform: Umweltfreundlich und erfüllt globale regulatorische Standards.
• Lange Verfügbarkeit über den gesamten Lebenszyklus: Unterstützt durch HQICKEYs Engagement für eine nachhaltige Versorgung von Projekten im Produktionsmaßstab

Technische Spezifikationen

Anwendungen

Dieser DDR3-SDRAM eignet sich perfekt für:

• Industrielle eingebettete Systeme und Automatisierungssteuerungen
• Netzwerk- und Telekommunikationsinfrastruktur
• Infotainment- und Fahrerassistenzsysteme für Fahrzeuge
• Medizinprodukte und Diagnosegeräte
• Kassenterminals und Kioske
• Hochzuverlässige Rechenplattformen

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