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W632GU8RB09I
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €2,95 EUR | €2,95 EUR |
| 15+ | €2,71 EUR | €40,65 EUR |
| 25+ | €2,66 EUR | €66,50 EUR |
| 50+ | €2,51 EUR | €125,50 EUR |
| 100+ | €2,21 EUR | €221,00 EUR |
| N+ | €0,44 EUR | Price Inquiry |
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W632GU8RB09I - Hochzuverlässige DDR3 SDRAM-Speicherlösung
Der W632GU8RB09I von Winbond Electronics ist ein hochwertiger 2-Gbit-DDR3-SDRAM-Speicherchip, der für unternehmenskritische Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, der Industrie, der Medizintechnik und der Telekommunikation entwickelt wurde. Mit seiner robusten 256M x 8-Speicherorganisation und einer Taktfrequenz von 1,066 GHz bietet diese Hochleistungsspeicherlösung außergewöhnliche Zuverlässigkeit in anspruchsvollen Umgebungen.
Hauptmerkmale und Vorteile
- Hochdichter Speicher: 2 Gbit Kapazität mit 256M x 8 Organisation für effiziente Datenspeicherung
- Hohe Leistungsfähigkeit: Eine Taktfrequenz von 1,066 GHz bei einer Zugriffszeit von 20 ns gewährleistet einen schnellen Datenabruf.
- Erweiterter Temperaturbereich: Zuverlässiger Betrieb von -40 °C bis 95 °C (TC), ideal für raue Industrieumgebungen
- Industriestandard-Schnittstelle: Parallele Speicherschnittstelle mit DDR3-SDRAM-Technologie
- Kompaktes SMD-Gehäuse: 78-VFBGA (8x10,5) für platzsparende Leiterplattendesigns
- Breiter Spannungsbereich: 1,283 V bis 1,45 V Versorgungsspannung für flexibles Energiemanagement
Technische Spezifikationen
Anwendungen
Dieser hochzuverlässige Speicherchip wurde speziell für folgende Anwendungen entwickelt:
- Luft- und Raumfahrtsysteme sowie Verteidigungssysteme, die einen Betrieb über einen erweiterten Temperaturbereich erfordern
- Fahrzeugelektronik und fortschrittliche Fahrerassistenzsysteme (ADAS)
- Industrielle Automatisierungs- und Steuerungstechnik
- Medizinische Diagnose- und Bildgebungsgeräte
- Telekommunikationsinfrastruktur und Netzwerkgeräte
- Eingebettete Systeme, die eine langfristige Verfügbarkeit erfordern
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| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | Winbond Electronics |
| Produktserie | |
| Verpackung | Röhre | |
| Speichertyp | Flüchtig |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - DDR3 |
| Speichergröße | 2 Gbit/s |
| Speicherorganisation | 256 m x 8 |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 1,066 GHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15 ns |
| Zugriffszeit | 20 ns |
| Spannungsversorgung | 1,283 V ~ 1,45 V |
| Betriebstemperatur | -40 °C ~ 95 °C (TC) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 78-VFBGA |
| Gerätepaket des Lieferanten | 78-VFBGA (8x10,5) |
| RoHS |  |
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